三星研发第五代HBM3e内存：传输速度快，容量大增

最近，三星正积极推进第五代HBM3e记忆体的研发工作。据初步测试结果显示，该款记忆体的资料传输速度将比上一代大幅提升，预计将达到1.228TB/s。这一速度的提升，使得HBM3e能够在1秒钟内传输230部FHD电影，非常惊人。
HBM（High Bandwidth Memory）是一种垂直连接多个DRAM的高性能产品，可以显著提升资料处理速度。HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发，其中HBM3E是HBM3的扩展版本。这种DRAM被认为是人工智能时代的新一代产品。
据悉，Shinebolt比SK海力士的HBM3e最巨量资料传输速度为1.15TB/s更快。Shinebolt还采用了最新的12层垂直堆叠方案，能够在单个HBM3e封装上实现高达36GB的容量，而原型版本使用的8层堆叠方案仅实现了24GB的容量。
据相关人士透露，三星已经开始向客户提供Shinebolt样品来进行品质测试，该样品的规格为8层24GB。此外，三星还将很快完成12层36GB产品的开发。与HBM3相比，Shinebolt的最巨量资料传输速度（频宽）提升了约50%，可达1.228TB/S。相当于在1秒钟内传输了230部FHD高解析电影（每部容量5GB）。
值得注意的是，HBM的关键在于每层之间的连接方式。三星从HBM生产之初就一直采用热压缩非导电薄膜（TC-NCF）工艺，而其老对手SK海力士则采用的是品质回流成型底部填充（MR-MUF）工艺。这两种工艺各有特点，具体优劣需要市场来评判。