记忆体涨价买点到？法人这样评估

记忆体合约价23Q4将调涨0~10%，现在市场大都预期23Q4记忆体报将上涨并期待双十一的销售。其实目前记忆体需求并无明显回温，报价上涨来自上游减产，若后续需求没有跟上，将不利报价动能，若需求真的增加，原厂有可能恢复产能，供给增加，使报价要再上涨有难度。就近期而言，减产造成报价反弹，有助记忆体厂的获利改善。
Samsung（005930 KS）、SK Hynix（00660 KS）及Micron（MU US）记忆体原厂的库存离正常水准仍有一段距离，三大原厂扩大减产，NAND Flash及DRAM现货价近期呈价格反弹迹象，其中，NAND Flash回温速度优于预期，预估23Q4记忆体产品平均单价涨幅为5~10%。

记忆体市场约有90%为合约价市场，而现货价为可视为涨跌趋势的先行指标，NAND Flash Wafer 1Tb TLC现货价自低点反弹27%，主流512Mb TLC现货价也有26%增幅，而256Mb TLC现货价回升16%。
就DRAM来看，Samsung已由23Q1减产20%，到近期宣布23Q4将减产拉高至30%。DRAM现货价已于09/2023初落底，并呈现反弹趋势，其中以DDR5最先反弹，而市场最多库存的DDR4 8G，也已由微幅下滑，转为开始上扬，现在DDR5、DDR4、DDR3现货价齐涨，DRAM谷底周期接近尾声，并且近期已有原厂宣布调升合约价，23Q4合约价有机会向上，将有0~5%涨幅。
疫情压抑，导致2022年双十一销售表现欠佳，多家记忆体品牌衰退达30~50%。进入2023年，23H1的618促销活动，当时厂商也抱持乐观，积极备库存，可是终端市场买气依旧平淡，且在618之后呈现需求急冻。
现在经济面临下修风险，不过双十一年度促销即将展开，记忆体模组业者透露，虽然市场消费需求欲振乏力，但受惠近期记忆体的价格上涨，通路端库存达健康水位，即使短期需求并未明显复苏，但预期上游原厂将延续积极减产策略，使终端增加备货的意愿加，以确保未来供货稳定。由于通路端的库存水位接近见底，且惜售低价囤货的预期心态强烈，不倾向采取激烈促销竞争，因此通路商乐观预期双十一可望优于618档期的出货表现，延续至2024年的农历新年。