三星挑战业界最高密度 DRAM 芯片，单芯片超过 100Gb

在近日的三星存储技术日中，三星电子向全球展示了内存和闪存产品线的最新路线图和时间表。引人注目的是，三星针对高性能计算（HPC）市场发布了一款代号为 HBM3E 的内存芯片，这款产品将为 HPC 带来更加强大的性能和容量。
据三星介绍，他们在 2023 年 5 月已经开始量产 12nm 级的 DRAM，目前 11nm 级正在开发中。这些新一代的 DRAM 将提供业界最高的密度，同时三星还在为亚 10nm DRAM 准备新的 3D 结构，这将使单芯片容量超过 100Gb。
在闪存方面，三星透露了第九代 V-NAND 的开发工作已经步入正轨。这款新型 V-NAND 将基于双堆栈结构，提供业界最高的层数。目前三星已经获得了新型 V-NAND 的功能芯片，并计划在明年初开始量产。
除此之外，三星还发布了代号为 Shinebolt 的下一代 HBM3E DRAM。这款产品拥有每引脚 9.8 Gbps、总体 1.2TBps 的传输速率，相比之前的 HBM3 产品，速度提升了近一倍。目前三星 HBM3 的 8H 和 12H 产品已经进入量产阶段，而 HBM3E Shinebolt 样片也已经发货给客户。
除此之外，三星还计划提供将下一代 HBM、先进封装技术和代工产品结合在一起的定制一条龙服务。这将使客户能够更加方便地使用三星的先进技术，同时也将进一步加强三星在内存和闪存市场的领先地位。