SK海力士全球最高速LPDDR5T移动DRAM 与高通完成性能验证

SK 海力士 25 日宣布， 公司开始推进“LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo) DRAM”的商用化，其目前移动 DRAM 中可实现 9.6Gbps（每秒 9.6 千兆）最高速度。SK 海力士表示，最近获得了将 LPDDR5T DRAM 适用于高通最新第三代骁龙 8 移动平台（SnapdragonR8 Gen 3 Mobile Platform）的业内首次认证。
自今年 1 月开发出 LPDDR5T DRAM 以来，SK 海力士与高通进行了相容性验证合作。两家公司在结合 LPDDR5T DRAM 和高通的最新第三代骁龙 8 移动平台的智慧手机上进行验证得出，两款产品都发挥出了优秀的性能。
LPDDR（低功耗双倍数据速率）是用于智慧手机和平板电脑等移动端产品的 DRAM 规格，因以耗电量最小化为目的，具有低电压运行特征。
规格名称附有“LP（Low Power，低功耗）”，最新规格为第七代 LPDDR（5X），按 1-2-3-4-4X-5-5X 的顺序开发而成。LPDDR5T 是 SK 海力士业内首次开发的产品，是第八代 LPDDR6 正式问世之前，将第七代 LPDDR（5X）性能进一步升级的产品。
SK 海力士强调：“公司的 LPDDR5T DRAM 成功完成与全球权威通信晶片公司高通等主要移动 AP（Application Processor）供应商的性能验证，今后移动设备中 LPDDR5T DRAM 的布局将迅速扩大。”
公司计划向客户提供以 LPDDR5T DRAM 单品晶片结合而成的 16GB（千兆）容量套装产品。该产品的资料处理速度为每秒 77GB，其相当于 1 秒内可处理 15 部全高清（Full-HD，FHD）级电影。
另外，LPDDR5T DRAM 可在国际半导体标准化组织（JEDEC）规定的最低电压标准范围 1.01~1.12V（伏特）下运行，在功耗方面也具备了优势。
SK 海力士技术团队在开发该产品的过程中，采用了 HKMG（High-K Metal Gate）工艺，在运行速度和功耗方面都有效提高了性能。由此公司期待，在下一代的 LPDDR6 DRAM 问世前，LPDDR5T DRAM 在移动 DRAM 市场上占据很大比重。
高通技术公司产品管理高级副总裁（Senior Vice President of Product Management）Ziad Asghar 表示：“第三代骁龙 8 产品可以低功耗下无延迟驱动生成型 AI 为基础的大语言模型（LLM）和大视觉模型（LVM）。骁龙移动平台和 SK 海力士的最高速移动 DRAM 相结合，智慧手机用户将能够体验惊人的 AI 功能。”
SK 海力士 DRAM 商品企划担当副社长柳成洙表示：“LPDDR5T DRAM 成功满足了全球客户对超高性能移动 DRAM 需求，对此感到很高兴。”
柳副社长还补充道：“预计今后智慧手机将成长为驱动 AI 技术的核心应用。为此，需要通过移动 DRAM 持续提高智慧手机的性能，公司将继续加强与高通的合作，努力提高该领域的技术能力。”
HKMG 是在 DRAM 电晶体内的绝缘膜上采用高 K 栅电介质，在防止漏电的同时还可改善电容（Capacitance）的新一代工艺。不仅可以提高记忆体速度，还可降低功耗。SK 海力士于去年 11 月在移动 DRAM 上全球首次采用了 HKMG 工艺。