韩媒：长江存储量产232层NAND 缩小与三星差距

韩国媒体《BusinessKorea》30日报导，中国记忆体巨头长江存储据悉已成功开发并量产232层3D NAND快闪记忆体，缩小了与韩企三星电子与SK海力士的差距。
根据《南华早报》27日报导，半导体分析公司TechInsights在25日的一份报告揭露，他们在7月悄悄推出的1TB消费级固态硬碟（SSD）致钛（ZHITAI）600中，发现长江存储生产的232层4层单元（QLC）3D NAND记忆体。
相较之下，SK海力士的NAND最高堆叠层数为238层，三星电子没有透露相关数据，但坊间据传为236层。
NAND是一种即使断电，也能保存数据的记忆半导体，它需要先进的叠层技术。该叠层涉及垂直分层单元，以增加数据容量，是NAND的关键竞争元素。不过TechInsights对于长江存储的3D NAND是否完全以中国设备或元件生产没有着墨。
在8月华为推出的Mate60 Pro智慧手机采用中芯国际7奈米制程处理晶片后，中国似乎克服美国实施的贸易制裁，并建立其自己的半导体供应链。《南华早报》曾于4月报导，在美国对中国实施半导体设备与材料出口管制之际，长江存储计划利用本土设备生产先进的3D NAND记忆体。