韩媒：三星电子将逐季调涨NAND价格20% 直到明年Q2

全球记忆体晶片龙头三星电子已经拟定策略，要将储存型快闪记忆体（NAND）价格逐季调涨20%，直到2024年第2季。此举是三星努力稳定NAND价格，目标在明年上半年逆转市场的行动。
根据南韩媒体Pulse引述半导体产业多位消息人士的说法报导，三星电子决定在明年第1季与第2季将NAND价格调涨20%，接续在今年第4季涨价10%至20%的调涨行动。
NAND和DRAM占了三星电子约半数的记忆体晶片销售。尽管DRAM报价近期已有回升趋势，但NAND价格依然低迷。
Pulse的报导指出，三星电子计划透过积极调涨价格，配合减产，以便恢复获利能力。
三星电子执行副总裁金在俊（Kim Jae-joon，音译）在周二（10月31日）的财报会议上表示：“NAND的减产将以比DRAM目前相对更大的规模进行。”
三星电子也已宣布更积极投入蓬勃发展的高频宽记忆体（HBM）市场。
金在俊说：“我们预期扩大生产HBM3和HBM3E。我们计划2024年的HBM供应量能将是今年的逾2.5倍。”
他说，三星电子已经与主要客户就产量完成供应协商。
除了记忆体外，三星电子也寻求晶圆代工事业明年业绩回升。该公司晶圆代工事业在今年第3季亏损超过5,000亿韩元（3.698亿美元）。尽管疲软的表现是因为产线利用率减少，但获得了迄今最大的单季订单额。
券商预估三星电子的表现将从今年第4季开始大幅改善。DB金融投资分析师徐升妍（音译）表示：“由于第4季需求增加，包括DRAM在内，半导体产业表现预期会大幅提升。”