华邦电总座称，AI驱动DRAM成长 未来3~4年产值可望倍增

中国台湾华邦电总经理陈沛铭9日于成电论坛中指出，人工智慧（AI）将驱动动态随机存取记忆体（DRAM）市场快速成长，未来3~4年内DRAM产值可望倍增。
陈沛铭指出，AI驱动未来DRAM市场蓬勃发展，根据研调机构的资料显示，2017年-2022年间DRAM市场主要由资料中心、智慧型手机所驱动。
尽管2023年市场规模较去年萎缩，但他看好在AI应用带动下，DRAM将供不应求， 2026年产值可望突破1,000亿美元规模，DRAM产值未来3-4年内可望倍增。
AI伺服器目前1年出货量不超过20万台，预期2024年可望激增至100万台规模，将带动HBM供不应求。
陈沛铭表示，用于AI伺服器上的高频宽记忆体（HBM），目前每位元价格为一般DRAM的20倍，未来仍将是DRAM的5到7倍水准，预期HBM占整体DRAM产值比重将自2023年的4％，快速攀升至2027年的20％。