小米 14 将采长江存储 232 层 NAND 记忆体

据中国台湾媒体报道，为了应对美国半导体出口管制，中国加速半导体自给自足计划，也逐步获得更多成果。业界人士 9 日透露，中国制造商小米 10 月发布的小米 14 手机采用长江存储 NAND 快闪记忆体存储设备。
先前华为的 Mate 60 Pro 采用 SK 海力士和美光的记忆体，这也暗示中国记忆体产业快要实现记忆体独立。
长江存储去年率先量产第六代 232 层 3D NAND 快闪记忆体，领先 SK 海力士和三星，受到业界关注。列入美国制裁名单后，长江存储先进半导体计划直接从 128 层跳到 232 层，不经过第六代 176 层，紧追韩国领先半导体公司。
考虑到最近智慧手机都使用 176 层 NAND，下一代产品商业化进展可说突飞猛进。此外，长江存储 7 月还发表 232 层 NAND 智泰 600 1TB 消费级固态硬碟（SSD）。
韩媒 BusinessKorea 报导称，层数不是 NAND 技术唯一竞争因素，三星和 SK 海力士仍比中国公司有技术优势，但双方 NAND 技术差距缩小到两年，很难保持明显的领先优势。
半导体研调机构 TechInsights 拆解长江存储 232 层 NAND 产品，发现中国成功克服美国贸易限制，比预期更有效建立半导体供应链。
至于 DRAM 领域，中国仍面临挑战，中国 DRAM 领头企业长鑫存储目前 DRAM 约 22 奈米，明显落后业界领先 12 奈米制程，差距超过五年。