长江存储在美控告美光科技 涉8项专利侵权

据《第一财经》从美国加利福尼亚北区法院公布信息了解到，长江存储已于11月9日起诉美光科技(Micron)(MU.US)  +1.790 (+2.433%)   及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司，侵犯其八项美国专利。长江存储在专利侵权起诉书中称，诉讼目的是为终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。

长江存储在起诉书中提到，美光使用长江存储的专利技术，以抵御来自长江存储的竞争，并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash(闪存)市场来阻止竞争和创新。

起诉书提到，长江存储已成为全球3D NAND市场的重要参与者。根据分析和追踪快闪记忆体市场的TechInsights于去年11月资料显示，长江存储更是快闪记忆体领域的领导者，并超过了美光。

长江存储指控美光侵犯美国专利号为“10,950,623”，“11,501,822”，“10,658,378”“10,937,806”，“10,861,872”，“11,468,957”“11,600,342”及“10,868,031”。美光被控侵权的产品包括96层，128层，176层及232层3D NAND产品。

至于NAND Flash和DRAM是目前最主要的两种储存介质，NAND Flash可制造SSD等记忆体，用于手机、伺服器、PC等产品。长江存储则于2020年研发了两款128层快闪记忆体产品，其后亦计划推动扩产。去年第三季受长江存储扩大笔电Client SSD出货等影响，价格战日益激烈，原厂不得不加大议价空间，吸引顾客提高订单数量。

不过，美国商务部去年10月发布出口管制新规，限制对中国出口晶片制造设备等；同年12月，美国更将长江存储纳入出口管制“实体清单”。

2018年，长江储存量产了第一代32层3D NAND快闪记忆体晶片，并于2020年开发了两款128层快闪记忆体产品。 2022年10月，美国政府发布出口管制条例，限制晶片制造设备出口中国，同年 12月，美国将长江储存列入出口管制实体清单。
快闪记忆体之外，美光也是主要的DRAM生产商之一。 2016年，另一家生产DRAM晶片的主要记忆体晶片公司福建金华积体电路有限公司（JHICC）与联华电子签署了技术合作协议，开发DRAM相关制程技术。该公司在中国东部福建省晋江市投资56.5亿美元兴建12吋晶圆厂生产线。
2017年，美光在美国起诉晋华和联华电子，莫须有地声称晋华员工窃取了其智慧财产权。一年后，美国商务部将晋华国际列入出口管制实体名单。