DDR3利基型记忆体市况大好

业界人士分析，带动此波记忆体市况转扬的主要动能，在于国际大厂陆续减产的效益发酵，近期随着产能紧缩，更严格控制出货，完全展现要支撑价格上涨的决心。
另一方面，三星、SK海力士、美光积极跨足AI应用，将主要产能挪到生产高频宽记忆体、DDR5等高阶领域，也让DDR3市场出现空间，近期客户端回补库存以及消费性电子急单报到，DDR3报价从9月起陆续走扬，DDR3 4Gb至今累计涨幅近一成，DDR3 2Gb累计涨幅则有14%。合约价方面，预期本季将劲扬10%至15%，明年首季续强，有望再涨5%至10%。
DDR3相关业者均正向看待市况发展。中国台湾厂家钰创认为，随着库存消化告一段落，“循环谷底已过”，目前逐渐迎向复苏的曙光．正向看待明年全球DRAM市场将迎来显著成长。
中国台湾厂家晶豪科方面，该公司不断推进自家产品的进程，无论在DRAM、Flash以及MCP产品，都持续开发新品，并跨足不同市场，包括加速19奈米DRAM记忆体IC研发、完成28奈米Nand Flash产品量产，另外也研发车规用的利基型记忆体IC产品。
中国台湾厂家华邦总经理陈沛铭指出，本季营运将优于第3季，看好明年DRAM市况。
供应链透露，随着产业经过逾一年库存去化，近期终端消费性电子急单大增，带动DDR3晶片需求喷发，因应客户需求，华邦、钰创向载板协力厂备货量激增，晶豪科投片量也有上升趋势，显示市况回温以及价格反转之际，业者无不积极备货迎接盛况。