三星电子揭橥新策略关键字“GDP” 聚焦记忆体、封装、晶片制程

南韩媒体报导，三星电子在上周的年度投资人论坛，揭橥新策略的关键字为“GDP”：环绕闸极电晶体（GAA）架构、DRAM及封装。
综合韩国经济日报与韩国每日经济新闻英文版网站Pulse News报导，三星电子在香港登场的投资人论坛上表示，明年将发表低延迟频宽（LLW）DRAM记忆体晶片，作为旗舰的下一代晶片，透过增加半导体电路的输入／输出（I/O）端子数量，提高数据处理速度与效能，能改善人工智慧（AI）应用的电力效率，比一般DRAM晶片提高70%。这款晶片将嵌入延展实境（extended reality）头戴装置等AI设备。
三星电子表示，打算开发其他记忆体晶片新品，包括LPDDR5X，号称传输速度为每秒9.6 GB，每秒频宽 76.8 GB。三星电子也将开发UFS 4.0 4-Lane，被视为装有AI模型的智慧手机核心零组件。
三星电子明年也将发表一项先进的3D晶片封装技术，包括最先进的3.5D封装，藉由在高频宽记忆体（HBM）晶片垂直堆叠中央处理器（CPU）和绘图处理器（GPU）等晶片，提高电子装置的速度和数据处理能力。
三星电子也将进一步精进3奈米晶片制程技术，以更适合AI应用。三星晶圆代工部门副总裁Jeong Ki-bong宣示，将每两年提高记忆体晶片效能2.2倍。三星电子也计划开发一款4奈米加速器晶片。
此外，三星电子也计划把自家开发的AI模型“Samsung Gauss”，整合到下一代旗舰智慧手机Galaxy S24内。
三星电子目前正与美国特斯拉（Tesla）合作，为Level-5全自驾车辆开发下一代全自驾（FSD）晶片。三星电子最近已延揽曾在字母（Alphabet）旗下Waymo自驾车部门担任设计主管的YoonJung Ahn，出任执行副总裁，领导设计管理中心。