韩媒：中国 NAND Flash与韩国技术差距剩两年

近年来，记忆体市场的局势逐渐发生了变化，韩国两大记忆体厂商三星和 SK 海力士正面临来自中国厂商的激烈竞争，感受到更大的竞争压力，技术差距也在不断缩小。
韩国媒体 Business Korea 报导，有市场人士透露，随着中国加大了对记忆体产业的支援，经过了多年的发展，目前与世界领先企业的 NAND Flash 快闪记忆体技术差距已缩短到两年左右。不过，DRAM 方面则仍保持原有的距离，技术差距大概在五年。
报导指出，缩短拆距的主因 NAND Flash 快闪记忆体技术的门槛相对低一些，使得追赶的速度更快，而且还在不断加速，因此差距缩小得更为明显。
中国最大的记忆体半导体企业长江存储在 2022 年快闪记忆体高峰会 （FMS）上，正式发布了基于晶栈 3.0（Xtacking 3.0） 架构的第四代 3D TLC 快闪记忆体，名为 X3-9070。长江存储也领先于三星和 SK 海力士，达到了更高层数的 NAND Flash 快闪记忆体的量产。
据了解，2022 年一年里，来自中国投资基金等资金的投入就达到了约合人民币 500 亿元的资金。持续且大量的资金投入支援以取得发展效果，一方面是技术的追赶，另一方面是更快的市场渗透
报导强调，随着半导体电路小型化逼近极限，中国可能会抓住另一个缩小技术差距的机会，就是先进封装技术。因为，中国是全球第二大封装技术市场，有着较为完善的生态系统，长电科技、通富微电和华天科技都进入了全球十大半导体封装企业的前十名，而韩国没有一间公司出现在榜单上。