传SK海力士HBM4采全新设计！与英伟达讨论整合，有意委托台积代工

传 SK 海力士 HBM4 采全新设计！与英伟达讨论整合，有意委托台积代工
有媒体指出，韩国记忆体大厂 SK 海力士尝试开发全新方式 GPU，将逻辑晶片、高频宽记忆体（HBM）堆叠在一起，这也将是业界首创。SK 海力士已与辉达（英伟达）等半导体公司针对该专案进行合作，据报导当中的先进封装技术有望委托中国台湾台积电，作为首选代工厂。
韩媒中央日报（The Joonang）报导，HBM4 目标是直接放置在辉达、AMD等公司 GPU 晶片上。目前 HBM 是堆叠放置在 GPU 旁边，透过两个晶片下面的中介层（ interposer）连接，不过 SK 海力士新目标是完全消除中介层，将 HBM4 透过 3D 堆叠直接整合在晶片上。
外媒 Tom’s Hardware 指出，这种设计与 AMD V-Cache 类似，后者将一小块 L3 快取（cache）直接放在 CPU 顶部，新技术则是则将 GPU 所有记忆体放在 GPU 顶部或几个晶片的顶部。
中央日报认为，这项技术有望彻底改变半导体和代工产业，但还需要一段时日。一位韩国产业官员表示，“这种技术可能 10 年内实现，最终区分记忆体晶片和逻辑晶片可能变得毫无意义”。
这种技术优点是缩小封装尺寸、提高性能，但散热将是最大问题。采用 V-Cache 的 AMD CPU，公司必须降低TDP 和时脉频率，以补偿 3D cache 产生的额外热量，像辉达 H100 这种资料中心 GPU，需要 80-96GB 的HBM，在容量和热量与 V-cache 完全难比拟。
SK 海力士的 HBM4 预计 2026 年问世，三星也在开发类似专案，可能与 SK 海力士竞争，从辉达、AMD、苹果公司那获得这些设计的订单。