DDR5与HBM：存储器产业的未来

全球存储器产业正在经历一场前所未有的变革。随着技术的飞速发展，全球三大存储器厂商正聚焦于高端产品DDR5和HBM的研发和生产。这场先进制程的量产对决，将为整个行业带来巨大的机遇和挑战。
在存储器产业中，DDR5和HBM是高端产品的代表。DDR5作为一种新的内存标准，具有更高的速度和带宽，能够满足高性能计算和人工智能等应用的需求。而HBM（High Bandwidth Memory）则是一种三维存储器，通过堆叠多个存储芯片，实现更高的存储密度和更快的读写速度。
为了满足这些高端产品的需求，存储器厂商正在加大投入力度。据预计，2023年第三季度，全球三大存储器厂商的DRAM与NAND Flash存储器位元出货的平均季度增长率约为15%，而均价部分则呈现不同的变化，DRAM均价同比增长15%，但NAND均价则同比下降5%。尽管市场尚未完全复苏，但预计2023年第四季度，三大存储器厂商的存储器事业合计营收将有望重返200亿美元以上。
其中，HBM市场尤其引人关注。与传统服务器存储器相比，HBM的价格高出数倍。但随着AI等应用的快速发展，HBM的需求量正在激增。这将使得全球DRAM产业发生板块大挪移。
中国台湾华邦电总经理陈沛铭表示，2022年全球DRAM产值中，DDR4/LPDDR4为主流产品，老旧或利基型产品如DDR3、DDR2、SDRAM等的营收比重约为8%，顶级产品如HBM、高容量模块等的比重不到3%。随着库存逐渐去化，DDR5/LPDDR5将从2024年起成为市场主流，高容量模块及HBM的比重也将大幅提升，预估将可望超过10%。
各家存储器大厂的生产路线规划中，为了应对AI加速器芯片的需求演进，他们将于2024年主推HBM3e新品。单颗HBM3e的容量将提升至24GB，两大韩国厂商预计于2024年上半年开始量产HBM3e。此外，美光（Micron）选择跳过HBM3，直接进入HBM3e的生产。
尽管SK海力士目前在HBM布局上遥遥领先，并取得了市场的主导地位，但从传输速度来看，三星电子（Samsung Electronics）的9.8Gbps要优于SK海力士和美光；但从制程来看，三星仍采用1α纳米作为量产制程，而SK海力士与美光则相继采用最先进的1β纳米制程。
然而，受到整体产业不景气和财务亏损等压力的影响，存储器原厂缩减资本支出的策略仍在持续。这种情况延续至2024年，预计各家厂商的资本支出仅能保持持平或微幅提升。由于缺乏稳定的获利支持，各大厂商在资本支出规划上趋于保守，这无疑会拖延下一代先进制程的开发速度。