AI驱动，“HBM存储芯片”供不应求
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2023-11-27
随着科技的飞速发展，存储芯片作为信息技术产业的核心组件，其性能和容量需求正在不断攀升。HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）作为一种新型存储芯片技术，正逐渐成为行业关注的焦点，其发展前景广阔。
什么是HBM？
HBM是一种新型的存储芯片技术，旨在提高内存带宽和性能，以满足高性能计算、人工智能、大数据等领域的严苛需求。HBM通过将多个存储芯片堆叠在一起，形成高密度的内存系统，并采用先进的接口技术，实现高速数据传输。
高带宽：HBM采用最先进的接口技术，如硅通孔（Through-Silicon Via，TSV）和微凸块（Micro-Bump），实现了更高的数据传输速度和带宽。这使得HBM能够满足高性能计算、人工智能等应用对大量数据的高速读取和写入需求。
低功耗：HBM采用低功耗设计，减少了动态和静态功耗，有助于延长移动设备的使用时间和降低散热问题。
小型化：HBM通过使用紧凑的封装技术和高度集成的设计，实现了更小的尺寸和更高的集成度，有助于减小电子设备的尺寸和重量。
高性能：HBM提供了更高的内存性能和更低的延迟，能够满足高性能计算、人工智能等领域对实时数据处理的需求。
随着科技的不断发展，HBM存储芯片将在以下领域展现出广阔的发展前景与空间：
高性能计算：随着人工智能、大数据等应用的普及，高性能计算的需求日益增长。HBM能够提供更高的内存带宽和性能，满足高性能计算领域对计算速度和效率的需求。
云计算和数据中心：随着云计算和数据中心的快速发展，对大规模数据处理和存储的需求也在不断增加。HBM能够提供更高的存储容量和更低的延迟，有助于提高数据中心的处理效率和性能。
移动设备：随着移动设备的普及，对低功耗和高性能的需求日益增强。HBM采用低功耗设计和高性能处理器，能够为移动设备提供更长的续航时间和更好的性能体验
2023年7～9月，用于存储个人电脑和智慧手机数据的DRAM的需求量3年来首次超过供应量。面向生成式AI（人工智慧）高速处理数据的半导体需求猛增。但并未对数据传输速度较慢的NAND型记忆卡吹入东风。
英国调查公司Omdia的数据显示，7～9月DRAM的需求量达到561GB（Gigabyte，吉位元组，1吉为10亿），比去年同期增长13％。供应量同比下滑15％，降至513亿GB。预计10～12月DRAM的“供应充足度”为-28.3％，DRAM将供不应求。供应充足度为供应量除以需求量减去1再乘以100计算得出。结果为正代表供过于求，结果为负代表供不应求。
2023年，生成式AI使用的DRAM的一种——高频宽记忆体（HBM）的需求猛增。这种产品由韩国SK海力士于2013年开发而成，数据传输速度和存储容量是通用产品的数十倍。从HBM的全球份额来看，SK海力士占5成，韩国三星电子占4成，美国美光科技（Micron Technology）占1成。
据称，2023年三星的设备投资额为创历史新高的53.7万亿韩元，其中大部分资金用在了HBM上。2024年将把HBM的产能提高到目前的2.5倍。
领导美光制造部门的高级副总裁Manish Bhatia 说：“1年前没有预想到，生成AI对记忆体市场有绝对的冲击力”，表示将在广岛县东广岛市的工厂增产HBM。
业绩也趋于改善。三星7～9月的半导体业务亏损3.75万亿韩元，亏损额度比上季度缩小了6100亿韩元。SK海力士7～9月的DRAM业务的营业损益时隔3季度扭亏为盈。
同样在记忆体业务上，NAND受到AI特需的推动很小。NAND的技术实现了通用化，每种产品很难差异化，容易降价。SK用于长期保存的NAND的损益出现了最终赤字。
日本的铠侠(Kioxia)7～9月的最终损益为亏损860亿日元（上年同期盈利348亿日元）。面向个人电脑及智慧手机低迷，并且客户通过调整库存控制采购。通用产品的价格也比半年前降低了约2成。
在市场恢复缓慢的背景下，10月铠侠与美国Western Digital的半导体部门的整合交涉停止。
Omdia预计NAND过剩最快到2024年4～6月消除。由于铠侠的收益依赖NAND，因此业绩恢复的步伐沉重。
关闭返回