SK 海力士下代 HBM 将采 2.5D 扇出封装

SK 海力士下代 HBM 将采 2.5D 扇出封装，最快明年公布研究成果

SK 海力士准备首次将“2.5D 扇出”（Fan out）封装做为下一代记忆体技术。根据业内消息，SK 海力士准备在 HBM 后下一代 DRAM 中整合 2.5D 扇出封装技术。
韩媒 BusinessKorea 报导称，这种技术将两个 DRAM 晶片横向排列，再像晶片一样组合，因为晶片下面没添加基板，能使晶片更薄，安装在 IT 设备时的晶片厚度能大幅减少。SK 海力士最快明年公开采用这种封装方式的研究成果。
2.5D 扇出封装技术以前从未用于记忆体产业，过去主要是用于先进的系统半导体制造领域。台积电 2016 年首次将扇出晶圆级封装（FOWLP）商业化，将其 16 奈米应用处理器与行动 DRAM 整合到 iPhone 7 的一个封装中，从而使这项技术推向舞台。三星电子从今年第四季开始将这一技术导入 Galaxy 智慧手机高级 AP 封装中。
外界猜测，SK 海力士之所以在记忆体使用扇出封装，是为了降低封装成本。2.5D 扇出封装技术可跳过矽通孔（TSV）制程，从而提供更多 I/O 数量并降低成本。业内人士推测，这种封装技术将应用于 Graphic DRAM（GDDR）和其他需要扩展资讯 I/O 产品。
除了利用这项技术外，SK 海力士也努力巩固与英伟达的合作，后者在 HBM 市场处于领先地位；SK 海力士也成为苹果 Vision Pro 中 R1 这种特殊 DRAM 晶片的独家供应商。