美光领先完成库存去化

美光（Micron）传出第4季起启动收敛DRAM工厂减产幅度，反映领先完成库存去化，法人看好， DRAM晶圆厂可望自今年第4季至明年第2季陆续升载，推动价量齐扬，建议投资焦点，由NAND Flash转至DRAM、且模组厂转至晶圆厂。
中国台湾南亚科28日股价上涨4.8%，收在73.5元，一根长红棒突破近日盘整区，创波段高点，华邦电（2344）则涨3.9%，收在27.85元，终止连八根黑K，重新站回5、10日线。
投顾法人分析，第4季DRAM合约价已大致议定，约当DDR5上涨15%、DDR4上涨10%至15%、DDR3上涨10%，涨幅优于预估的5-10%，主要反映华为Mate 60新机销售畅旺，带动安卓阵营提前推出新机，以及南韩三星控制出货量，个人电脑厂商回补库存时间拉长。
此外，DRAM厂商将第4季至明年第1季伺服器DRAM投片调整为行动及个人电脑DRAM投片，缓解供给压力，以及网路摄影机、网通等利基型应用厂商因应涨价预期，启动记忆体库存回补，亦为关键。
DRAM现货价自11月起涨势收敛，主因是大型与小型模组厂年底旺季接单分别已于8至9月、9至10月达到高峰，且通路商因应涨价预期所执行的库存回补已大致完成。
法人表示，美光DRAM库存已降至八周、完成库存去化，并将DRAM工厂减产幅度自第3季的31%收敛至第4季的17%、并预计在明年第1季至第4季维持减产幅度，且三星及SK海力士减产及去库存时间皆落后美光约一季，预计将减产幅度自第4季的18%至40%收敛达明年第1季的15%至34%，并预计明年第2季至第4季逐步收敛减产幅度。
考量终端需求预计自明年第2季起回温，加上龙头制造厂军预计维持“以销定产”的纪律性增产节奏，法人预估明年第1季至第4季期间DRAM合约价将维持涨势；相对于库存仍处15至18周高水准的NAND Flash工厂，尚未见到明显的减产收敛行动。