慧荣看Nand flash明年6月供需反转 将逐季涨价

Nand flash价格涨势猛，展望后市，全球快闪记忆体控制IC大厂慧荣(SIMO.US)执行长苟嘉章表示，Nand flash减产效应真正发酵，他预估会在明年6月看到供需反转，因为供给会继续减少， Nand flash明年将会逐季甚至逐月涨价。
苟嘉章认为，Nand flash会相对DRAM价格反弹的大，因为DRAM在过去几年的跌价没有像Nand那么深，Nand flash真的是亏钱在卖，所以现在PC OEM必须要接受价格回升，再加上现货价反弹跳的很快而且还会继续上涨，而供应商减产效应在明年6月看到反转，也就是供给持续减少，但需求已慢慢跟上。
因先前Nand价格跌深，厂商出现严重的负毛利率，现在大家都是努力想把价格往上拉，预估到明年第一季，有机会部分Nand flash厂会开始出现正毛利率，价格下半年会更好，到明年第三季，大多数Nand flash原厂都会回到正毛利率表现。
至于在DRAM部分，因为HMB高频宽记忆体的需求强劲，不是仅有AI大厂要，现在连Google、Amazon都要HBM，可预见HBM需求是会是大量、长期的，产品利润也好、DDR5也是重要的产品，所以在标准型的DDR的部分虽然之前库存较高，三家原厂会有不同的操作策略。