NAND Flash wafer 11 月不讲武德暴涨 25%，明年涨价派对是否持续看原厂增产态度

在三星、SK 海力士及美光扩大减产下，NAND Flash wafer 涨势强劲，随着终端传统备货旺季进入尾声，记忆体模组厂想逢低布局，但减产后供给减少，反而推高 NAND Flash 需求，加剧价格反弹力道，记忆体模组厂只能接受原厂涨价，在“原厂还会继续涨价”的预期心理下，模组厂持续抢货，推升 12 月价格涨幅。
记忆体大厂三星、SK 海力士和美光先前释出大规模减产规画。三星从第二季起开始降低 NAND Flash 产量，9 月再扩大幅度至总产能 50%，主要集中在 128 层堆叠以下产品，也为同业奠定涨价信心。
由于记忆体大厂减产幅度超乎预期，加上客户端库存普遍偏少，促使 NAND Flash 价格持续上涨。然而，今年下半年 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC、UFS）除了受传统旺季带动，华为 Mate 60 系列等也刺激其它中国手机品牌扩大生产目标，短时间需求涌入，推动第四季合约价格上涨。
此波价格上涨最剧烈的莫过于 NAND Flash wafer 的价格，从产业现况来看，模组厂库存因客户追单而快速落底，导致模组厂转而向原厂要求扩大供应，然而，原厂持续维持减产策略，供不应求致使第四季 NAND Flash wafer 价格反弹强烈，NAND Flash wafer 11 月单月涨幅超过 25%。
业内人士透露，在目前供给有限，且需求大幅增加的情况下，模组厂只能接受原厂的强势涨幅。而业界因为预期原厂会持续涨价，导致“大家就是一直抢货”。
从目前市况来看，12 月 NAND Flash 在供给吃紧下，价格将持续推升。但第一季价格是否持续大幅拉升，依旧要看原厂减产策略与需求状况而定。
据悉，业界传出，有原厂因下游拉货状况火热，已开始考虑增加产能。一旦原厂提早增产，加上需求表现未明显好转，价格上涨幅度将明显受到限缩。