韩媒：中国在存储器方面与三星的差距缩小

韩媒报道中国在DRAM与NAND快闪记忆体方面，与韩国龙头三星的差距，已分别拉近至4年、2年。

韩国媒体《BusinessKorea》11日报导，今年八月华为推出搭载7奈米晶片的5G智慧手机，立即引发美国要求加强对中国限制的呼声，突显美中科技竞争的全球意义，然而仔细检视，美中科技竞争也转化为韩国与中国之间的科技竞赛，中国的急起直追，使其DRAM技术落后三星仅4至5年，而NAND快闪记忆体则仅2年。

报导指出，在NAND快闪记忆体领域，中国长江存储正加大其3D NAND快闪记忆体的量产，紧追三星电子与SK海力士。尽管在DRAM市场的差距还很大，但中国长鑫存储上月底宣布新产品开发。
在显示器领域，京东方宣布计划投资有机发光二极体（OLED）新产线，投资规模是三星显示器3倍之多。在晶圆代工厂方面，三星电子正追赶台积电，但中芯国际以7奈米应用处理器（AP），令全球惊讶。
中国追求半导体的独立，特别是在三星电子取得领先的DRAM、NAND快闪记忆体，以及晶圆代工领域，加剧韩国与中国的科技竞争。
上月中国DRAM制造商长鑫宣布生产中国第一款行动低功耗LPDDR5 DRAM。长鑫已正式推出LPDDR5系列产品，其12GB LPDDR5晶片已在小米、传音（Transsion）等中国智慧手机上得到验证。
报导指出，技术差距最显著的DRAM，眼见中国正逼近，三星电子四年前推出其12GB LPDDR5，中国小米、Vivo等智慧手机公司一直使用三星与SK海力士的LPDDR5，然而长鑫的量产成功恐降低中国对进口记忆体的依赖。
韩中在NAND快闪记忆体差距正缩小。今年第三季三星电子市占率31.4%，居全球之冠，其次是SK海力士的20.2%，然而长江存储市占率逐渐升高，在短短3年内从2020年的1%增逾4倍至4.6%。
长江存储成功研发量产232层3D NAND闪存，紧追SK海力士（238层）和三星电子（236层）。 随着美国制裁，封锁取得来自艾司摩尔（ASML）等公司的先进半导体设备，长江存储在发展中国半导体供应链中的角色变得更加重要。中国大基金等今年已向长江存储投资70亿美元，凸显其重要性。