三星取得美国无限期豁免，逐步扩产中国西安厂

三星半导体 12 吋快闪记忆体晶片 M-FAB 晶圆厂扩建进入后主体施工，该厂 2012 年落脚西安，是三星唯一海外记忆体生产基地，发展为全球最大 NAND Flash 快闪记忆体制造基地，每月生产 20 万片 12 吋晶圆，达三星 NAND Flash 快闪记忆体总产量 40% 以上，2020 年新规划第二期晶圆厂兴建计划。
三星西安厂第一期首座晶圆厂投资 108.7 亿美元，2017 年开始建造第一期第二工厂，投资 150 亿美元。第二期厂计划兴建完成并投产后，将为全球规模最大 NAND Flash 快闪记忆体生产基地，为西安电子资讯产业集群化发展，打造全球知名电子资讯产业创新聚落建立强有力的基础。
韩媒 Business Korea 报导，三星高层决定将西安 NAND Flash 厂升级到 236 层堆叠制程，并大规模扩产。消息人士表示，三星开始采购半导体设备，预定年底交货，2024 年陆续引进第八代 NAND Flash 设备，业界视为对抗全球 NAND Flash 快闪记忆体市场需求疲软使产能下降的策略。