纽约州与IBM、美光等携手打造研发中心

IBM、Micron、应材、东京威力科创携手纽约州，投资百亿美元设 High-NA EUV 制程研发中心
日前，美国纽约州长 Kathy Hochul 宣布，与包括 IBM、美光、应用材料、东京威力科创等半导体大厂达成协议，预计将投资 100 亿美元 （约新台币 3,100 亿元） 在纽约州 Albany NanoTech Complex 兴建下一代 High-NA EUV 半导体制程研发中心。
根据声明表示，负责协调该设施建设的非营利性机构 NY Creates ，预计将利用 10 亿美元的州政府资金向 ASML 采购 TWINSCAN EXE:5200 曝光设备。接下来，一旦机器安装完毕，该计划与相关合作伙伴将开始研究下一代晶片制造。官方声明强调，该计划将创造 700 个工作岗位，并带来至少 90 亿美元的民间投资。
此外，声明还进一步指出，这将是北美第一个，也是唯一一个拥有 High-NA EUV 曝光系统的官方研发中心，将为开发和生产 2 奈米制程节点，甚至更先进的半导体晶片寻找方法。
现阶段，在各先进制程晶圆厂中，最先进的曝光机是 ASML 的 Twinscan NXE:3400C 和 NXE:3400D，配备 0.33 孔径 (NA) 光学镜片，解析度为 13 奈米。这样的解析度适合在金属间距介于 30 奈米和 38 奈米之间的制造技术上使用。
然而，当金属间距来到 30 奈米以下，也就是节点超过 5 奈米之际，13 奈米的解析度就不敷使用，这使得晶片制造商将不得不使用 EUV 双图案化，及图案成型技术。考当前因为 EUV 双图案化既昂贵具有良率风险的情况下，使得 ASML 正在开发 NA 值为 0.55 的 High-NA EUV 扫描器，以达到 8 奈米解析度，用于接下来更先进的制造技术上。
不久前，ASML 执行副总裁 Christophe Fouquet 在公开场合表示，自 2010 年代以来 EUV 技术越来越成熟，半导体制程微缩至 2020 年前后三年，以超过 50% 幅度前进。不过，速度可能会在 2030 年代放缓而不敷使用。所以 ASML 计划 2023 年年底前发表首台商用 High-NA EUV 曝光机，并 2025 年量产出货。2025 年开始，客户就能从数值孔径为 0.33 传统 EUV 多重图案化，切换到数值孔径为 0.55 High-NA EUV 单一图案化，降低制程成本，提高产量。