ASML 与三星签署备忘录，预计共同在韩国建立研究中心

半导体曝光机大厂 ASML 宣布，与韩国三星电子签署备忘录，将共同投资 1 兆韩元 （约新台币230亿元） 在韩国建立研究中心，并将利用下一代极紫外 （EUV） 曝光机研究先进半导体制程技术。另外，ASML 也宣布与 SK 海力士签署 ESG 备忘录，双方在包括环境、社会和公司治理专案展开合作。
值得一提的是，上个月初有消息表示，三星电子在五年内从 ASML 采购 50 套设备，每套单价约为 2,000 亿韩圜，总价值可达 10 兆韩元 （约新台币 2,300 亿元）。
事实上，三星电子于 2022 年 6 月推出了全球首个采用全栅极 （GAA） 技术的 3 奈米半导体晶片制程技术，使得该公司一直在努力确保能采购更多 EUV 曝光机，目标是使该公司能在 2024 年上半年进入第二代 3 奈米制程技术之后，2025 年进入 2 奈米制程技术，并在 2027 年进入 1.4奈米半导体制程技术领域。
正因如此，三星集团董事长李在镕在 2022 年 6 月访问了 ASML 总部，ASML 执行长 Peter Bennink 讨论了 EUV 的采购问题，并在同年 11 月与访问韩国的 Peter Bennink 进行了进一步会谈。鉴于 EUV 曝光机从下订到交货的时间至少需要一年的情况下，当时的会面讨论开始在现在开花结果。
另外，先前 ASML 也曾经表示，计划在 2023 年底前发表首台商用 High-NA (NA=0.55) EUV 曝光机，并在 2025 年量产出货。这使得自 2025 年开始，客户就能从数值孔径为 0.33 传统 EUV 多重图案化，切换到数值孔径为 0.55 High-NA EUV 单一图案化，降低制程成本，提高产量。目前，预估 High-NA EUV 曝光季将会有五大客户，包括英特尔、台积电、三星、SK 海力士、美光等。也因此，ASML 与三星才会在 EUV 曝光机的相关事项上，持续加强合作。