钰创CES将秀DDR3新品 锁定AI、KGD异质整合

中国台湾厂家钰创宣布，在2024年1月初登场的CES中，将首度亮相的4Gb DDR3 LRTDRAMTM(Long Retention Time Dynamic Random-Access Memory)，其为锁定AI应用、KGD异质整合封装、车载等高温应用情境的创新型记忆体。其核心的创新之一，即为钰创独家首创之长效资料保存技术。
钰创表示，AI应用基于高速运算的需求，带来的温度挑战也随之增加。然而，传统DRAM受限于先天物理特性，存取效能会随着温度上升而衰减。钰创研发团队透过独特的电路创新找出解决之道，让LRTDRAM能在符合JEDEC标准下提升每一个cell的资料保存时间(tREF)。这项长效资料保存技术能大幅拉长DRAM的刷新时间，提供更高效的数据处理能力，在高温、异质整合封装与大容量等环境下的性能改善尤其更为明显。
钰创4Gb DDR3 LRTDRAM，可在摄氏122度的高温环境下实现超过104毫秒的100%长时保留。相较于未采用此创新电路设计的产品，资料保存时间的差异可达到64毫秒，充分证明LRTDRAM确实能大幅提升DRAM的整体效能。目前此款4Gb DDR3 LRTDRAM的相关验证皆已完成，并开始于客户端送样。
钰创将在本次CES中展出的4Gb DDR3 LRTDRAM，不但是一项技术革新，更是钰创持续投入创新的展现。钰创相信LRTDRAM不仅能大幅提升DRAM的整体效能，更将有效支援AI、KGD异质整合封装和车载应用，推动整体产业迈向更高效、可靠的未来。作为积极投入重要关键应用市场的记忆体解决方案供应商，钰创接下来也将持续为客户带来更多的创新与突破。