离梦幻制程更近，SK海力士称HBM 采 Hybrid Bonding 技术获进展

为维持 HBM 领先地位，SK 海力士加速“混合键合”（Hybrid Bonding）开发，能否应用也成为业界焦点。
韩媒 Business Korea 报导，韩国产业官员 18 日透露，SK 海力士今年度 IEEE 国际电子元件会议（IEDM 2023）宣布，确保 HBM 制造时使用混合键合制程的可靠性。
SK 海力士报告，第三代 HBM（HBM2E）采八层堆叠 DRAM，使用混合键合制程后，通过所有可靠性测试；SK 海力士也评估 HBM 高温下使用寿命，检查产品出货后客户晶片黏合时可能的潜在问题。
混合键合视为 HBM 产业的“梦幻制程”，目前使用微凸块（micro bumps）材料连接 DRAM 模组，但混合键合技术晶片可不使用凸块下连接，微凸块消失后就能大幅降低晶片厚度。
HBM 晶片标准厚度为 720μm，SK 海力士预估 2026 年量产第六代 HBM（HBM4）需要垂直堆叠 16 个 DRAM，对目前封装技术是大挑战，业界认为下代 HBM 制程必然使用混合键合制程。
SK 海力士已经打算将混合键合技术应用至 HBM4 产品，虽然这次是第三代产品测试，规格比 HBM4 低，DRAM 层数也只有一半，但展示混合键合的潜力极具意义。
SK 海力士今年第五代 HBM 率先导入 MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）制程，以维持 HBM 的领先地位。