美光20日将公布上季财报 HBM3布局受关注

美国记忆体大厂美光20日将公布上季财报，市场普遍预期美光上季财报差强人意，但展望有望释出正面讯号，其中HBM3布局进度会是焦点。

法人分析，美光因 DDR4库存偏高，虽预料 EPS 为每股亏损1美元，营收将略低于财测47 亿美元，但展望可望因DRAM 与 NAND Flash 报价回升，公布强 劲的财测。

另外由于韩系大厂已积极布局 HBM3获得领先优势，市场也将关注美光 HBM3是否顺利在明年1季开始放量出货。
预估明年第1季在手机品牌持续备料的带动下，Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC/UFS）均价季涨幅将扩大至18~23%，同时，不排除在寡占市场格局或是品牌客户恐慌追价的情况下，进一步垫高涨幅。
观察2024年第1季中国大陆智慧型手机OEM的生产规划仍稳健，由于记忆体价格涨势明确，带动买方积极扩大购货需求，以建置安全且相对低价的库存水位。
过去智慧型手机市场是最早反映经济下行的消费性产品，买卖双方皆持续对供应链进行库存调节。随着双方库存落底，加上原厂减产效应作用下，促成这一波智慧型手机记忆体价格的强劲涨势。
整体而言，明年第1季记忆体价格走势在客户端需求持续，及原厂仍未拉升稼动的情况下，供需缺口加大，Mobile记忆体涨幅将较其它应用更明显，将成为该季的领涨项目。