美光借HBM先进封装布局中国台湾！

“坦白说，美光HBM的布局比较晚，所以希望用领先的技术，带领我们弯道超车、吸引客户。”美光董事长卢东晖道出公司HBM的市场策略。
随着AI来袭，大语言模型（LLM）崛起意味着更多的数据需要被储存和传输，传统的DRAM存储器难以满足AI晶片需求。在这样的情况下，过去因为成本过高而较少被采用的HBM（高频宽存储器）因此找到最佳位置，也让“存储器”这个相对不性感的题目大受关注。

HBM由DRAM堆叠而成，所以日本微细加工研究所所长汤之上隆指出：“将来DRAM厂的兴衰关键，就在于HBM的良率有多高。”从这点可看出，HBM对于存储器厂抢攻未来市占的重要方向。美光副总裁暨先进封装主管辛赫（Akshay Singh）指出，预期至2025年，用于生成式AI和机器学习的HBM，年复合成长率将达到50%。

过去存储器一直都是大宗物资，与市场景气波动密切，营收易在景气低谷受到影响。
但技术含量高的HBM有机会打破这样的局面，由于该产品最终要与GPU透过先进封装CoWoS包在一块，DRAM的厚薄度、封装的散热性及封装后的线路连接都是重点，需要大量投入研发，商品本身的附加价值高，可抵抗市场波动影响，“产业壁垒变得很高。”卢东晖说。
这让存储器业者开启一场“大者恒大”的战役。
卢东晖表示：“HBM不能单独拿出来，你一定要从前期就跟台积电或GPU大厂合作。”如同车用供应商一旦打进供应链地位就难以动摇，他表示美光希望透过领先的技术抢攻市占后，再逐步扩产放量，“你一味的追求产能没用，如果没有技术领先，那就会像之前景气下滑的状况一样。”
当前HBM市场霸主是韩国存储器巨头SK海力士（SK Hynix），但美光表示在TSV（矽穿孔）部分则拥有全球最先进的技术；在DRAM制程上，美光也已超车三星电子（Samsung Electronic）。
首先，美光在矽穿孔（TSV，Through Silicon Via）的实力坚强。辛赫表示，美光拥有最先进的穿孔技术，孔洞间的距离为业界最小。由于TSV就如同散热孔洞，数量越多散热效果就越好，这对美光开发下一代HBM来说，是绝对有利的因素。
其次，是美光在DRAM制程上的领先。卢东晖解释，存储器其实就像摩尔定律，越往下代制程移动，同样功耗下能缴出的性能越好。目前美光在DRAM制程上领先海力士量产1β（1-beta）制程，并抢先宣布2025年量产1γ（1-gamma），领先两大对手。由于HBM是透过堆叠DRAM而成，DRAM性能越好、功耗越低，HBM自然也会有相同的优势。

一名IC设计主管分析，“你看辉达（NVIDIA）、超微（AMD）都在台积电下单，美光跟台积电合作那么紧密，当然有优势。”由于HBM需要美光先将HBM封装完成后，再送至台积电进行CoWoS整合，与台积电的合作相当重要。在封装技术上，美光也在台湾进行相关布局。

美光HBM如何为台厂带来新商机？
美光副总裁暨运算与网路事业部运算产品事业群总经瓦伊迪亚纳坦（Praveen Vaidyanathan）表示：“以HBM的历史来说，日本和中国台湾未来将相当关键。”他表示，过去美光曾在日本进行HBM2的研发，到了HBM3e，部分研发团队也设置于日本。
在先进封装与封测的部分，卢东晖表示，目前只有台湾能做，一开始的研发团队也在台湾，HBM3e最后出货也的确在台湾。但他强调，这是区域分工考量的结果，未来是否会做技术转移，也会依市场情况做调整。
卢东晖亦看好中国台湾先进封装供应链，指出在半导体的前段制程已有不少跨国设备商卡位，相对而言，先进封装的机台和材料还未有垄断性的领导者盘据，是中国台湾供应链相当好的机会，“台湾先进封测业相当有竞争力。”
卢东晖积极推动美光供应链在地化，目前主要聚焦在材料领域。投顾分析师指出，从这个情况来看，目前已打进美光封测供应链的厂商如力成、中砂或志圣等，皆有机会受惠。
HBM成为存储器行业新的角逐战场，除了霸主海力士，中国台湾的美光有机会于HBM的趋势下发挥先进技术优势抢下市占，同时也为台湾先进封装供应量打开新商机大门。