三星持续选择性调整产能，拉抬存储器报价继续反弹

三星日前公布 2023 年第四季财报，资料显示先前记忆体减产的策略奏效，使得 DRAM / NAND 价格止跌，让半导体业务的亏损较上季大幅减少。对此，市场传出三星持续调整记忆体产能的计划，进一步再拉抬记忆体价格的上涨。
DRAM 产品合约价自 2021 年第四季开始下跌，连跌八季，至 2023 年第四季起涨。另外，在 NAND Flash 方面，合约价自 2022 年第三季开始下跌，连跌四季，至 2023 年第三季起涨。市场人士表示，记忆体价格的止跌反弹，其主因来自于主要供应商的减产策略奏效’，造成价格的上扬。
媒体报导，针对记忆体价格的止跌反弹，三星方面将继续选择性地调整生产D RAM、NAND Flash 产品。其中，在第一季属传统淡季的情况下，三星第一季 DRAM 及 NAND Flash 位元出货量虽然都预期较 2023 年第四季减少。然而在市场仍有需求的情况下，相关报价将持续拉升。
三星在财报会议上也表示，由于 PC 和行动产品的记忆体容量增加，以及对生成式人工智慧伺服器的需求增加，同时客户库存正常化，记忆体需求出现整体复苏的情况。事实上，也因为三星的 DRAM 库存已去化到仅剩 8~10 周库存，而且预期将在 2024 年第一季末恢复正常水准之后，加上 NAND Flash 库存，预期将在 2024 年上半年内恢复正常的情况下，在三星选择性调整产能之后，预期价格仍会持续往上扬的方向走。