南亚科总座：DRAM市场将逐季改善Q2恢复正常

低迷两年，DRAM市场受到AI应用带动的HBM（高频宽存储器）需求，加上DDR4转换DDR5，今年有望回归正常。中国台湾DRAM厂南亚科 董事会通过今年资本支出预算案约260亿元，半数会投入生产制造设备。总经理李培锳23日表示，去年第四季已能见到市场微幅复苏，预期2024年的需求将逐月、逐季改善，今年交易量有望成长20%，南亚科也将持续研发3D堆叠技术，用于开发高密度RDIMM产品，瞄准服务器市场。
南亚科2023年合并营收为298.92亿元，税前净损107.04亿元，归属于母公司业主净损74.39亿元，每股亏损2.4元。董事会决议不分派股利，但因应新厂兴建、1B制程技术制程转进等，将投入260亿元购置设备与研发，也是看好市场即将恢复正常。23日股价收在67.7元、小跌0.59%。
李培锳表示，DRAM在这两年价格跌深，从2.7跌至1美元，要爬回原来的价格有难度，然而因应去年开始火热的AI风潮，因运算需求，供应商加速生产HBM及高密度DDR5，有利于产能去化及调整DDR4及LPDDR4库存，预估今年将恢复供需平衡。AI服务器也激励美国云端企业的需求，未来的IT支出将是观察重点；他也看好AI PC、AI手机将陆续提升DRAM的搭载量，预计今年消费性市场需求相对健康，有机会稳定成长。
存储器大厂三星、SK海力士与美光近来全力投入HBM研发制造，李培锳表示，HBM因为价格高、的确是吸引人的市场，南亚科“在这方面不是没有经验”，但认为短期内不适合加入，南亚科选择比较稳健的路，先做高密度RDIMM，因为服务器除了会用到很贵的HBM外，也会有其他成本与不同等级的需求选项。
南亚科预期今年消费型电子产品占约65%以上，PC、服务器等运算类应用约占20%，低功率产品约15%。随着DDR4逐渐转向DDR5，到今年底时，DDR5占比有机会上看10%。南亚科也提到，1B制程技术相较于1A，可使单片晶圆产能提升30%，有助于节能减碳；DDR5产品预期可比DDR4平均功率下降约16%，且效能可提升两倍。