南亚科今年营运逐月逐季好转 DDR5明年出货放量

李培锳认为，DRAM 市场持续受到 AI 应用带动 HBM 需求，加上DDR4转换 DDR5，2024 年预期需求逐季改善、价格有机会持续逐步上涨
中国台湾存储器厂南亚科今年营运将逐季逐月好转，将力拼下半年转亏为盈。总经理李培锳指出，公司也准备好进军云端与AI伺服器商机，高密度DDR5 RDIMM存储器模组预计今年底Tape Out，明年通过认证量产出货。另外，DDR5出货量以今年底单月占比10%为目标，明年将持续逐步放量，月产能渐增至二万片的经济规模。
DRAM价格回升，南亚科短期仍难以摆脱亏损，李培锳坦言，前一波DRAM跌幅非常的深，以8Gb DDR4有效颗粒平均单价来看，从2.7美元跌到1美元左右，所以要爬升回来的话，需要花更多的力气，时间也要比较长。从市场的供需情况来看，南亚科的营运一定会逐月逐季改善，挑战年中损益两平，下半年转亏为盈。
市场关心AI的议题，李培锳表示，AI应用广泛，最近因OPEN AI与生成式AI带起热潮，对频宽要求较高，带动HBM需求。HBM其实已发展多年，早期大型网路公司已开始小量应用。目前HBM整个市场从位元来看量并不大 ，仅约2%，但产值(营收)估计可能将近10%，换句话说，价格高达5倍以上。而此2%的市场，海力士、三星以及美光三大厂已争相抢占，竞争激烈。
李培锳表示，HBM需要高频宽存储器，I/O数量大幅增加，制造成本也增加2.5-3倍，且须与三大厂直接竞争，加上搭配还需大量控制晶片，需有合适的合作伙伴，与公司的产品策略较不相同，并不适合抢进。
南亚科将以3D IC为主目标，开发AI运算时亦大量使用的高密度RDIMM。目前伺服器应用占DRAM市场比重约三成，其中RDIMM需求又占1成以上，而该市场较HBM大，利润也较佳。以南亚科技推动自主研发来看，目标是先逐步先3D技术做好，将推应用TSV之3D IC产品。
在高密度RDIMM产品布局上，制程会使用1B推出16GB D5，也在规划在2024年中试产，预计明年上市，速度会更高，也会应用3D IC的技术。
李培锳补充，南亚科先前已有HBM、TSV技术经验，因此技术面的瓶颈是能够克服的。市场将持续动态变化，但目前依整体考量，较适合南亚科技切入。在高密度RDIMM产品布局上，南亚科的制程会使用1B推出16GB DDR5，也在规划在今年中试产，预计明年上市，速度会更高，也会应用3D IC的技术。
南亚科预估今年第二季产能稼动率将恢复正常，全年位元成长率 20% 以上，将逐季成长。以目前产品应用占比来看，消费型电子产品占约 60% 以上，PC、伺服器等运算类应用约占20%，手机约20%。
观察今年产业趋势与整体市况，李培锳认为，DRAM 市场持续受到 AI 应用带动 HBM 需求，加上DDR4转换 DDR5，2024 年预期需求逐季改善、价格有机会持续逐步上涨；但依旧受整体经济影响，而欧洲战争、中美冲突等地缘政治都可能持续影响市场需求复苏力道。
供需情况的部分，供应商加速生产HBM及高密度 DDR5，有利产能去化及调整 DDR4 及 LPDDR4 库存，预期今年将恢复供需平衡。AI 伺服器激励云端需求；美国云端企业的 IT支出是观察重点。AI PC、AI 手机提升平均 DRAM 搭载量，消费型市场需求相对健康，今年有机会稳定成长。
因应新厂兴建、1B 制程技术制程转进等，南亚科董事会通过今年资本支出预算以不超过260亿元为上限，其中生产制造设备类预算约五成，规划1B 制程技术 8Gb DDR4 与 16Gb DDR5 产品，1A制程已经完全淘汰，导入1B之后，平均每片晶圆位元产能可增加三成，有助于节能减碳，而且DDR5 产品预期可比 DDR4 平均功率下降约16%，效能可提升两倍。
回顾去年，南亚科投入研发经费76亿元，研发团队已经达上千人。截至去年底，累计开发 110 个人工智慧应用，培育 450 位 AI 人才，手握专利获证件数达 6800件。
南亚科正在推动“DRAM 供应链低碳化升级转型计划”，与10家重要供应链伙伴合作， 目标2年减碳效益可达6300公吨。