三星发表其首款 36GB HBM3E 12H DRAM，下半年就能量产

三星电子于今日正式发表首款 12 层堆叠 HBM3E DRAM–HBM3E 12H，这是三星迄今容量最大的 HBM 产品。
三星 HBM3E 12H 的最高频宽达到 1280GB/s，容量也达到 36GB，相比三星 8 层堆叠的 HBM3 8H，HBM3E 12H 在频宽与容量提升超过 50%。
“当前行业的人工智慧服务供应商越来越需要更高容量的 HBM，而我们的新产品 HBM3E 12H 正是为了满足这种需求而设计的，” 三星电子产品企划团队执行副总裁 Yongcheol Bae 表示，“这一新的储存解决方案是我们研发多层堆叠 HBM 核心技术以及在人工智慧时代为高容量 HBM 市场提供技术领导力而努力的一部分。”
据介绍，HBM3E 12H 采用了热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得 12 层和 8 层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前 HBM 封装的要求。因为行业正在寻找缓解薄片带来的芯片弯曲问题，这项技术将在更高的堆叠中带来更多益处。三星一直在努力降低其非导电薄膜（NCF）材料的厚度，并实现芯片之间的间隙最小化至 7 微米（μm），同时消除了层与层之间的空隙。这些努力使其 HBM3E 12H 产品的垂直密度比其 HBM3 8H 产品提高了 20% 以上。
三星的热压非导电薄膜（TC NCF）技术还通过允许在半导体之间使用不同尺寸的凸块（bump）改善 HBM 的热性能。在覆晶接合（chip bonding）过程中，较小凸块用于信号传输区域，而较大凸块则放置在需要散热的区域。这种方法有助于提高产品的良率。
三星表示，相比 HBM3 8H，HBM3E 12H 预计能为人工智慧训练提升 34% 平均速度，同时服务用户数量增加 11.5 倍。
据信三星已经开始向客户提供 HBM3E 12H 样品，预计今年下半年开始量产。