存储器巨擘新战场 美光领先

宣布正式量产HBM3E，卡位英伟达H200晶片，首度赢过三星和SK海力士
为攻下一代人工智慧（AI）商机，存储器大厂HBM3E（第五代高频宽存储器）市占排名大战一触即发。美光27日宣布，8层堆叠24GB HBM3E解决方案已正式量产，三星电子亦宣布开始向客户提供“业界性能最强”的12层堆叠36GB “HBM3E 12H”样品，计划于上半年量产。
此外，全球HBM一半以上市占的SK海力士（SK Hynix）1月中旬结束HBM3E开发，有望于3月量产，但产品规格未对外透露。三家存储器巨擘均卡位英伟达H200 Tensor Core GPU以上的新世代商机，H200预计于今年第二季出货，将牵动三大厂HBM的市占率。
美光股价在26日收盘上涨4％至89.46美元，创下近两年新高。27日早盘股价续涨2.66％。三星股价27日收在72,900韩元，涨幅0.1％。中国台湾台股存储器族群股价也表现不俗，模组厂宇瞻及广颖盘中一度攻高至涨停板价位，三大法人27日买超群联、宇瞻及威刚371～1,241张，其中群联外资连七买。
美光的HBM3E解决方案，每脚位传输速率超过9.2Gb／s，存储器频宽达1.2TB／s以上，为AI加速器、超级电脑与资料中心，提供如闪电般快速的资料存取速度。
美光强调，HBM3E功耗降低了约30％，能以最低的功耗提供最大的传输量，进而改善资料中心重要的营运成本指标。
美光的HBM3E，目前提供24GB容量，使资料中心可无缝扩展其AI应用，无论是用于训练大型神经网路还是加速推理任务，美光解决方案都能为其提供所需的存储器频宽。
三星也不甘示弱，宣称即将推出的36GB HBM3E 12层晶片，无论在性能与存储器容量上比同业高出50％。三星近日已向客户送样，预计HBM3E 12层产品在上半年开始量产。
美光执行副总裁暨事业长Sumit Sadana表示，美光在HBM3E上，取得了三连胜，分别是领先的上市时间、业界最佳的效能、杰出的能源效率，且AI工作负载亟需存储器频宽与容量，美光HBM3E和HBM4产品蓝图领先业界，针对AI 应用提供完整的DRAM和NAND解决方案，支援未来AI显著的成长。
研究机构Moor Insights & Strategy分析师萨格（Anshel Sag）看好AI晶片需求造福美光。他表示，SK海力士2024年HBM已卖完，如今新的供应商加入，有助超微、英特尔、英伟达等GPU晶片大厂提高产能。