三星新一代DRAM考虑采用MUF 技术，使其可能跃升为主流

韩国媒体 TheElec 报导，三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充（MUF）技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆叠 (3DS) 存储器的 MR MUF 技术，与 TC NCF 相较其传输量有所提升，但物理特性却出现了一定恶化情况。
报导指出，MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的矽穿孔 (TSV) 技术后，注入到半导体之间的材料，它的作用是将垂直堆叠的多个半导体牢固地固定并连接起来。而经过测试后获得的结论，MUF 不适用于高频宽存储器 (HBM)，但非常适合 3DS RDIMM，而目前 3DS RDIMM 使用矽通孔 (TSV) 技术制造，主要应用于伺服器上。
在此之前，三星已经在其现有的双列直插式存储器模组（RDIMM）中使用了热压非导电膜（TC NCF）技术。而 MUF 是 SK 海力士用于制造高频宽存储器（HBM）的技术，其所用的技术为 Mass Re-flow Molded Underfill，简称 MR-MUF。事实上，MUF 是一种环氧树脂模塑化合物，自从着 SK 海力士成功将其应用于 HBM 生产后，便在半导体产业中受到关注，业界认为该材料被认为在避免晶圆翘曲方面更有优势。
报导还指出，SK 海力士所使用的化合物是与 Namics 合作开发的。而消息人士称三星则计划与三星 SDI 合作开发自己的 MUF 化合物，目前已经订购了 MUF 应用所需的模压设备。而因为三星是世界最大的存储器龙头企业，所以若三星也导入 MUF，那么 MUF 可能会成为主流技术，半导体材料市场也会发生巨大的变化。对此，三星方面的回应是“无法确认内部技术战略”策略。