韩媒：美光、SK海力士拼HBM良率 以通过英伟达测试

据《wccftech》引述韩媒《DealSite》报导，英伟达 (NVDA-US) 的品质测试似乎让 HBM 制造商遇到了困难，因为与传统存储器产品相比， HBM 良率明显较低。
良率问题很常见，主要与半导体晶圆有关，以单一矽晶圆生产的半导体晶片的数量来衡量。 将良率维持在最佳水准一直是中国台湾台积电 (2330-TW)(TSM-US) 和三星代工等公司面临的一个巨大问题和任务，但这个问题似乎也蔓延到了 HBM 行业。
韩媒报导称，美光 (MU-US) 和 SK 海力士等厂商在英伟达下一代 AI GPU 资格测试的竞争中正面对决，而且似乎差距不大，良率是他们的阻碍。
在 HBM 领域，良率主要与堆叠架构的复杂性相关，该架构涉及多个储存层和用于层间连接的复杂矽通孔 (TSV)。 这种复杂性增加了制造过程中出现缺陷的机会，与更简单的存储器设计相比，可能会降低成品率。
制作过程中，如果其中一颗 HBM 晶片被证明有缺陷，则整个堆叠都会被丢弃，这表明制造过程有多复杂。
消息人士称，目前 HBM 存储器的整体良率在 65% 左右。其中，美光和 SK Hynix 似乎在这场竞争中处于领先地位，据报导，美光已开始为英伟达的 H200 AI GPU 生产 HBM3E，因为它已经通过了 Team Green 设定的认证阶段。
另据报导，SK 海力士副社长金起台 (Kim Ki-tae) 2 月 21 日则在官方落格指出，虽然外部的不稳定因素仍在，但今年存储器市场可望逐渐加温。 其中原因包括，全球大型科技客户的产品需求恢复。 此外，PC 或智慧型手机等 AI 装置对于人工智慧的应用，不仅会提升 HBM3E 销量，DDR5、LPDDR5T 等产品需求也有望增加。
金起台表示，今年旗下 HBM 已全数售罄。 虽然 2024 年才刚开始，但公司为了维持市场领先地位，已开始为 2025 年准备。