韩SK海力士投资10亿美元研发AI存储器技术

SK海力士今年将在南韩投资超过10亿美元，扩大和改进芯片制造的后段工序。
《彭博》3月7日报导，南韩存储器芯片大厂SK海力士公司在加大先进芯片封装业务的资本支出，希望满足更多人工智慧（AI）产业对关键组件高频宽存储器（HBM）猛增的需求。
前三星电子公司工程师、现任SK海力士的芯片封装开发负责人李康宇（Lee Kang-Wook）表示，总部位于利川的SK海力士今年将在南韩投资超过10亿美元，扩大和改进芯片制造的后段工序。

制作工艺日新月异，为HBM成为最受欢迎的AI存储器的优势，技术如果进一步改善，就能够降低功耗、提高性能，并且巩固海力士在HBM市场的领先地位。

HBM成为最受欢迎的AI存储器

李康宇的专长是开发组合和连接半导体的先进方法。随着现代人工智慧崛起，以及平行处理链需要消化大量数据，这种方法变得更加重要。虽然SK海力士尚未披露今年的资本支出预算，但分析师平均估计该数字为14兆韩元（105亿美元），这表明先进封装（约占整体资本支出的十分之一）是主要优先事项。
李康宇在接受媒体访问时表示，“半导体产业的前50年集中发展前端技术，即芯片本身的设计和制造，但接下来50 年将是后端（即封装）的天下。”
在这场竞赛中，率先实现下一个里程碑的公司可望跻身行产领先地位。SK海力士被美国AI芯片巨头辉达（Nvidia）选中为其制定标准的人工智慧加速器提供HBM，从而将这家韩国公司的市值推高至120兆韩元。

到2024年3月7日收盘为止，自2023年初以来，SK海力士股价累计飙涨1.2倍，该公司目前是南韩市值第二大公司，该期间表现优于三星和美国对手美光科技。

现年55岁的李康宇协助开创第3代封装技术HBM2E的新方法，该方法很快就被其他两家主要制造商效仿，这项创新技术是SK海力士在2019年底赢得辉达认可的最大功臣。
李康宇长期投入透过堆叠芯片来获得更高的性能的研究。2000年，他在日本东北大学获得微型系统3D整合技术博士学位，他的指导教授为Mitsumasa Koyanagi，Koyanagi发明用于手机的堆叠式电容器DRAM。2002年，李康宇加入三星存储器部门担任首席工程师，领导矽通孔（TSV）的3D封装技术的开发。
这项成果后来成为开发高频宽存储器（HBM）的基础。HBM 是一种高效能存储器，它将芯片堆叠在一起，并将它们与TSV连接起来，以便更快、更节能处理大量数据。
但是早在智慧手机时代之前，三星就在其他领域投入更多资金，国际芯片大厂通常将组装、测试和封装芯片的任务外包给亚洲小国或地区。

后来在2013年，SK海力士和美国合作伙伴超微（AMD）向世界推出HBM时，他们2年内没有遇到任何敌手的挑战，直到2015年底，三星开发出HBM2。3年后，李康宇跳槽到SK 海力士，他们带着一丝自豪开玩笑说，HBM就是“海力士最佳的存储器芯片”。

里昂证券韩国分析师拉纳 (Sanjeev Rana) 表示：“SK海力士管理层对存储器产业的发展方向有更深入了解，也做好了充分准备，当机会来临时，他们用双手抓住机遇，但是三星被发现在打瞌睡。”
聊天机器人APP ChatGPT于2022年11月问世后席卷全球， 李康宇等待的时刻终于降临。当时，在日本的联络人的帮助下，他的研发团队很快开发一种新的封装方法，称为大规模回流成型底部填充（MR-MUF）。这种制程涉及在矽层之间注入液体材料，然后进行硬化处理，从而提高散热性和产量。一位知情人士透露，SK海力士与日本公司Namics就该资料和相关专利进行合作。
李康宇强调，SK海力士正在投入大笔资金，推进MR-MUF和TSV技术。
三星多年来被出缺的高层主管困扰，但现在开始反击。2023年，辉达认证三星的HBM芯片，这家总部位于水原的公司今年2月26日表示，它已经开发出第5代技术HBM3E，配备12层DRAM 芯片和业界最大容量36GB。
同一天，总部位于爱达荷州博伊西的美光科技表示，它已开始量产24GB、8层HBM3E，这消息震惊业界人士，该产品将内建在辉达第二季出货的H200 Tensor Core处理器。
李康宇长期致力于扩大和增强南韩国内存储器芯片技术，目前计划斥资数十亿美元在美国建造先进封装厂区，因应日渐激烈的竞争环境，他仍然看好SK海力士的前景，他认为目前砸大钱投资，是为了为满足未来几代HBM更多需求奠定基础。