继2月抢先量产HBM3E芯片 美光获英伟达H200订单

韩媒《中央日报》报导，2024年2月美光（Micron）领先业界开始量产最新高频宽存储器HBM3E后，近日已抢下英伟达H200 AI GPU订单，震惊三星电子及SK海力士两大韩国对手。
据了解，英伟达即将推出的H200处理器将采用最新HBM3E芯片，比H100处理器采用的HBM3芯片更强大。
《中央日报》报导，美光之所以抢下H200订单是因为美光HBM3E芯片采用的1b纳米技术相当于12纳米技术，与SK海力士生产HBM芯片采用的技术同等级。相较之下，三星电子目前采用的1a纳米技术相当于14纳米技术，落后美光及SK海力士。
芯片产业专家Jeon In-Seong表示：“事实证明美光制造技术比三星更先进，因为美光的HBM3E芯片是采用1b纳米技术。虽然美光HBM3E芯片在封装上仍有改善空间，但与当初在1b纳米技术上遇到的挑战比起来更好解决。”
业界认为美光HBM3E芯片之所以能抢下英伟达订单，是因为该芯片在性能、节能效率及无缝扩充性等三方面都表现优异。
首先，美光HBM3E芯片引脚速度超过9.2 Gb/s，存储器频宽超过1.2 TB/s，能让AI加速器、超级电脑及资料中心快速存取资料。再者，HBM3E芯片的功耗比市面上其他竞争产品减少30％。在AI应用需求快速扩大之际，美光HBM3E能以最低功耗提供最大吞吐量，提升资料中心营运经济。
第三，美光HBM3E拥有24GB容量，有助资料中心无缝扩充AI应用，也有足够频宽支援大规模神经网路并加速执行推论任务。