存储器芯片料涨价+增产 机构看好三星第一季利润暴增6.5倍

据多家韩媒报导，在半导体业务亏损减少，以及 DRAM、以及 NAND Flash 价格的回升之下，机构对三星电子第一季业绩的期待愈来愈高。
根据金融资讯企业 fnguide 透露，多家证券公司预计，三星电子今年第一季的营业利润预计将达到 47117 亿韩元，这是 2023 年第一季营业利润 (6402 亿韩元) 的 7.5 倍。
fnguide 透露，今年三星电子的营业利润共识为 32.3383 兆韩元，比一个月前上涨了 2345 亿韩元。
存储器芯片业务，料为三星业务成长的关键。据报导，三星电子计划将 NAND Flash 的价格提高 20%。 由于供应过剩，过去一年多这一产品仅以约成本价出售。三星现在决定与大客户重新谈判，以获得公平的价格，并将最近供需稳定的 NAND Flash 业务的损失降至最低。
韩媒引述业内人士透露，三星电子将于今年 3 月和 4 月与主要行动、PC 和服务器客户重新谈判价格。 预计推动价格上涨 15% 至 20%。
一位半导体业内人士表示：“三星电子、SK 海力士等主要储存半导体制造商与客户之间的第一季价格谈判尚未结束。”
去年，NAND flash 市场经历了最糟糕的时期之一，由于需求疲软和供应过剩，库存增加。 去年，三星电子和 SK 海力士的 NAND flash 业务营运亏损分别接近 83 亿美元（11 兆韩元）和 60 亿美元（8 兆韩元）。
从去年下半年开始，市场供需平衡，三星电子、SK 海力士、美光开始大力减产，导致使用率低于 50%。 从去年第四季开始，此前一直以成本水准销售的 NAND flash 价格开始缓慢上涨。
根据数据，NAND flash 价格已经连续五个月上涨。 1 月 NAND flash 卡 - USB 通用 (128Gb 16Gx8 MLC) 固定交易价格为 4.72 美元，较上季上涨 8.87%。 上个月上涨 3.82% 至 4.90 美元。
市场研究机构 Omdia 对 2024 年三星 DRAM 晶圆产量水准也持乐观态度。 随着市场过渡到升级周期，消费者希望更换现有的储存和存储器产品，预计产量将年增。 据称，该公司的目标是到 2024 年第四季晶圆产量达到 200 万片，比去年的数字成长 41%。 三星现在的目标是透过提高生产水准来挽回损失的利润，因为该公司预计未来需求将会增加。
除此之外，随着人工智慧产业需求的增加，三星正在寻求“重塑”其市场策略，将其重点更多地转向 HBM 生产。 随着三星赢得 NVIDIA 和 AMD 等巨头的信任，预计三星将升级现有设施，以满足人工智慧产品的 HBM 需求。 据悉，三星已经收到了 HBM3e 的订单，客户希望将其应用于下一代 AI GPU。