铠侠及西数率先提升产能利用率

铠侠及西数率先提升产能利用率，带动全年 NAND Flash 供应位元年增率上升至 10.9%

在 NAND Flash 涨价将持续至第二季的预期下，部分供应商为了减少亏损、降低成本，并寄望于今年重回获利。今年三月起铠侠 / 西数率先将产能利用率恢复至近九成，其余业者均未明显增加投产规模。
为因应下半年旺季需求，加上铠侠/西数本身库存已处低水位，本次扩大投产主要集中112层及部分2D产品，有望在今年实现获利，并进一步带动2024年NAND Flash产业供应位元年增率达10.9%。
角逐高层数领先地位，铠侠预计于2025年扩大218层产能制程方面，2024年随着NAND Flash价格反转，供应商的库存水位也开始逐步降低，为了维持长期成本竞争优势，供应商也开始升级制程。其中，又以三星（Samsung）和美光（Micron）最积极，预估两家业者于今年第四季时，200层以上制程的产出将超过四成。
铠侠和西数2024年产出重心仍为112层，而受惠于日本政府补助支持，预计今年下半年将开始移入设备，增加218层产出，预估2025年218层产出更为积极。根据铠侠目前的制程研发规划，为了达成更佳成本结构，并寄望能在技术及成本上重回领先地位，218层之后产品将直接迈入300层以上制程。
NAND Flash需求位元成长不如预期，下半年价格涨幅可能收敛继铠侠/西数后，目前观察NAND Flash供应商将陆续于下半年增加投产，但随着PC及智慧型手机买家第一季库存水位持续上升，后续采购动能进一步收敛。与此同时，AI功能并未在今年实际带动NAND Flash容量升级，若最主要的需求出海口Enterprise SSD采购没有明显回升，今年整体NAND Flash需求位元成长可能不如预期。预期NAND Flash合约价涨幅自第二季起，将收敛至10~15%，至第三季会再降至0~5%。