存储器风光时刻，美光 2024 财年第 2 季由亏转盈，盘后飙逾 18%！

存储器风光时刻，美光 2024 财年第 2 季由亏转盈，盘后飙逾 18%！

*美光财报季度表达方式为：2024 财年第 2 季为 2023 年 12 月第一个礼拜五到 2024/02/29 (周四)，2024 财年第 3 季为 2024 年 3 月第一个礼拜五到 2024 年 6 月第一个礼拜四，以此类推。
*全篇财报按非美国通用会计准则 ( Non-GAAP ) 计算，由于 Non-GAAP 剔除了一次性、非常规等项目，更能反映企业的真实经营情况。
美光为全球第三大 DRAM 业者，HBM3e 成公司增长关键
美光 (MU) 科技成立于 1978 年，为全球第三大 DRAM 业者，2023 年第 4 季市占率 19.2%，仅次于三星 ( 45.5% ) 及 SK 海力士 ( 31.8% )，3 家市占率合计超过 96%；NAND Flash 则以全球 9.9% 市占率位居第 5 。
美光营运版图横跨 17 国或地区，主要制造及销售 DRAM、NAND Flash、NOR Flash 与 3D XPoint 等产品，但营收都来自 DRAM ( 71% ) 与 NAND Flash ( 27% )，合计占比达 99%；终端应用横跨手机、PC、伺服器，也包括汽车、工业或消费性市场等。
高频宽存储器 ( HBM ) 近年来受惠 AI 及高效能 ( HPC ) 而加速发展，成为存储器大厂的营收驱动力。美光跳过 HBM3，直接研发 HBM3e，且成功通过辉达 (NVDA) 验证，将应用在新一代 H200 AI 晶片上，预期将为美光带来新的成长动能。

美光 2024 财年第 2 季由亏转盈，盘后飙逾 18%2024 财年第 2 季财报表现如下：
营收 58.2 亿美元 ( 季增 23% / 年增 58% )
优于公司财测 51 ~ 55 亿美元区间上缘
高于市场预期的 53.5 亿美元DRAM 营收 41.6 亿美元 ( 季增 21% / 年增 53% )平均销售价格 ( ASP ) 季增约 18%
[* 位元出货量季增约 2% ]NAND Flash 营收 15.7 亿美元 ( 季增 27% / 年增 77% )平均销售价格 ( ASP ) 季增超过 30%
[* 位元出货量季减幅度约 2% ]毛利率 20.0% ( 季增 19.2 个百分点 / 年减 2.9 个百分点 )
大幅优于公司财测 11.5% ~ 14.5% 区间上缘
EPS 0.42 美元 ( 上一季 EPS -0.95 美元 / 去年同期 EPS -1.91 美元 )
高于公司财测 EPS -0.35 ~ -0.21 美元区间上缘
优于市场预期 EPS -0.24 美元美光 2024 财年第 2 季财报大幅优于预期，获利由亏转盈的成绩单刺激盘后股价大涨超过 18%，突破 113 美元。美光获利爆发主因存储器报价大涨推动，HBM3e 在 2024 财年第 1 季经过多个客户验证后，第 2 季首度认列营收，并开始量产出货，初期供应辉达 H200 Tensor Core GPU 晶片订单的需求，其他平台及客户也在加速认证。
美光 2024 财年第 3 季财测营收季增双位数，轻松击败市场预期美光 2024 财年第 3 季财测如下：
营收 64 ~ 68 亿美元
季增约 13% ( 以预估区间中点 66 亿美元计算 )
优于市场预期的 60 亿美元毛利率 25% ~ 28%
季增约 6.5 个百分点 ( 以预估区间中点 26.5% 计算 )
EPS 0.38 ~ 0.52 美元
季增约 7.1% ( 以预估区间中点 0.45 亿美元计算 )
高于市场预估的 0.21 美元投资方面，预期 2024 财年资本支出为 75 ~ 80 亿美元，高于 2023 财年的 70 亿美元，封测投资加倍、加大对 HBM 的投资，但前段晶圆设备投资将减少 ( 含导入 EUV 及升级先进制程 )。
展望美光 2024 财年第 3 季，整体存储器库存将持续改善，预期 NAND Flash 位元出货量有望因第 2 季高阶产品供给受限而略微成长，DRAM 位元出货量则预估将持平。报价方面，因存储器原厂为改善获利表现，涨价意图强烈，预期将强力执行涨价计划，预估手机、PC、伺服器及消费性 DRAM 价格将上涨 3 ~ 8% 之下，继续推动美光营收及获利成长。
2024 年 HBM 产值将迎来大爆发，美光 HBM3e 挟带技术优势，有利于市占率提升高频宽存储器 ( HBM ) 近年来受惠 AI 及高效能 ( HPC ) 而加速发展，成为存储器大厂的营收驱动力。以全球产能来看，预期 HBM ( 含矽穿孔 ) 产能至 2024 年底约每月 27 万片 ( 美光约每月 2 万片，占 7.4%，2023 年底每月产能仅 3,000 片 )，占整体 DRAM 产能 180 万片约 15%，位元供给量年成长约 280%；产值方面占整体 DRAM 市场将快速增加，从 2022 / 2023 年 2.6% / 8.4%，2024 年预计成长至 20.1%，且在产能持续集中扩增在 HBM 制程上，预估 2025 年可达 25%。
美光在 2023 年 7 月推出业界首款存储器频宽超过 1.2 TB/s、每脚位传输速率超过 9.2 GB/s ( 较目前市面上的 HBM3 解决方案高出 50% )、8 层堆叠 24 GB 容量的 HBM3e，采 1β（1-beta，相当于12奈米）制程，每瓦效能较前几代产品提升 2.5 倍，刷新 AI 数据中心的关键性能、容量及功耗指标。
根据公司报导显示，这些强大的提升所带来的好处，除了能减少大型语言模型 30% 以上的训练时间，进而降低总体拥有成本外，也能大幅提升每日查询次数，让训练完成的模型在使用时更有效率。不仅如此，美光 HBM3e 每瓦效能也替现代 AI 资料中心省下营运费用。若以装设 1,000 万个 GPU 计算，每组堆叠节能 5 瓦，预计将能在 5 年内省下多达 5.5 亿美元的营运成本。
由于性能更强且功耗更低，实际效能超过预期，制程技术位处领先地位，让美光先获得辉达采购，预计在 2024 财年第 3 季开始量产，有利于美光 HBM 市占率的提升。另外，辉达近期发布 Blackwell GPU 的 HBM3e 数量增加三分之一，延续每个 GPU 中 HBM 数量稳步成长的趋势，有利于存储器厂长线成长动能。预期 2024 财年 HBM 能为美光带来数亿美元收入。
美光产业及股价皆位于上升周期，展现诱人投资吸引力 
若从美光周线图来看，先前在 2022 年 6 月开始经历一年的打底阶段，在突破颈线 65 美元后还经过 5 个月的整理才发起攻势，由于筹码累积的时间足够久，这段时间的蓄势有机会成为往后多头趋势发展的底气。目前来看，股价正处于多头趋势，在突破历史新高 98 美元后拉回至 50 日均线 ( 红线 ) 附近，但都守在均线之上，显示股价依旧强势。

整体而言，存储器产业受惠 AI 驱动，正处于多年成长期的早期阶段，不管是 AI 训练还是推论，都将推动科技持续进步，应用越来越广，需求越来越大，进而带动产业持续成长。对于美光而言，尽管 HBM 面对三星及 SK 海力士的强力竞争，但凭藉 HBM3e 技术略为领先的优势，有望趁早瓜分市占，且就现阶段来看仍处于 HBM 供不应求的红利期，获利性佳的 HBM 占美光产品比重将提升，将带动公司产品组合转佳，进而提振获利表现。
综合以上，美光基本面良好，产业景气位于上升周期，加上技术面佳，多头趋势持续进行，且拉回至 50 日均线止稳，展现出诱人的投资吸引力，建议买进。