爆料：三星3纳米良率翻3倍、PPA有望赶上台积N3P

市场传出，三星电子(Samsung Electronics Co.)的3纳米良率已大幅拉高、整体表现有机会追上中国台湾台积电。
知名爆料人Revegnus 22日透过社交平台X指出，三星的3纳米制程良率一开始虽只有10~20%，但最近已拉升至三倍以上。
虽然良率依旧低于使用现有“鳍式场效”(Fin Field-Effect Transistor；FinFET)制程的台积电，但三星对第二代3纳米制程期望甚高，据传其效能、功耗及面积(Performance、Power、Area，简称PPA)的前景看好(有谣言暗示可以赶上台积电的N3P)。
Revegnus表示，消息人士透露，三星3纳米制程的能源效率(power efficiency)、逻辑区域(logic area)都比4纳米FinFET改善20~30%。
值得注意的是，南韩媒体TheElec报导，三星共同执行长庆桂显(Kyung Kye-hyun) 3月20日在年度股东大会预测，今(2024)年的半导体相关营收有望重返2022年衰退前的水位。
庆桂显指出，存储器事业已于1月转亏为盈、今年将恢复元气，除了高频宽记忆体(HBM)外，公司也在针对开放性高速互连通讯协议CXL (Compute Express Link)、存储器处理器(Processor In Memory；PIM)跟客户接洽，结果很快就能出炉。
三星晶圆代工事业总裁崔时荣(Siyoung Choi)在同一场合表示，虽然英特尔(Intel Corp.)开始谈论1.4纳米制程，但三星及台积电也都有相关制程规划。他说，客户需要的是能稳定供应、产品具竞争力的晶圆代工商，三星4纳米制程的良率已成熟。
崔时荣并表示，第二代3纳米制程预计今年下半投产，2纳米制程的投产时间则是明年。
英特尔18A较优？台积电：未必
值得注意的是，根据The Motley Fool的台积电第四季财报电话会议文字记录，执行长魏哲家被问到对于英特尔声称其18A制程的PPA优于台积电2纳米有何看法时重申，英特尔最新技术跟台积电的N3P非常类似或相当。不过，在技术成熟度方面，英特尔宣称其最新技术将在2025年投产，这对台积电而言会是第三年、届时晶圆厂的产量会非常高。
魏哲家表示，他不愿对客户的说法评论太多，但可以确定台积电会持续保持技术领先，客户层也将依旧广泛。几乎每一个人都在跟台积电合作。
台积电董事长刘德音则接着表示，虽然魏哲家很谦虚、说N3P跟18A的PPA很相似，但大家可以从另一个角度来看——这只是就英特尔本身的产品而言。一家IDM通常会针对自家产品将技术最佳化，而晶圆代工厂、也就是台积电，却是针对客户的产品把技术最佳化。这两者有很大差别。