Kioxia计划2031年，实现千层3D NAND存储器量产

3D NAND：1000层
Kioxia计划2031年，实现千层3D NAND存储器量产
根据Xtech Nikkei报道，日本储存技术巨头Kioxia公司技术长宫岛秀文（Hidefumi Miyajima）在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划在2031年实现大规模生产1000层以上的3D NAND存储器。这个雄心勃勃的目标，不仅彰显了Kioxia在半导体领域的深厚实力，也为整个产业指明了未来的发展方向。
目前，提高快闪存储器记录密度的最佳途径就是增加3D NAND元件中的主动层数量。随着技术的不断进步，各3D NAND制造商正竞相采用新的制程节点，以实现更高的层数。然而，每一层数的增加都伴随着巨大的技术挑战。制造商需要在横向和垂直方向上缩小NAND单元，同时采用新材料，这无疑是一项艰钜的研发任务。
Kioxia作为业界的佼佼者，已经推出了第八代BiCS 3D NAND存储器，这款存储器拥有218个主动层和3.2 GT/s的介面速度，其采用的CBA（CMOS直接键结到阵列）架构更是引领了产业创新。 CBA架构将3D NAND单元阵列芯片和I/O CMOS芯片分别制造，再键合在一起，从而实现了位元密度的增强和NAND I/O速度的提升，为构建高性能的SSD提供了有力保障。
三星：远期规划1000层V-NAND
在全球半导体市场经历波动之际，三星电子却选择了一条不寻常的道路－加大存储器技术投资。面对市场的起伏，三星不仅未削减资本支出，反而将赌注押在了下一代制造工艺上，试图透过技术创新巩固其作为领先存储器芯片制造商的地位。
三星在DRAM领域的进展令人瞩目。该公司宣布的第五代10奈米级制造技术将引领产业潮流，而正在探索的亚10nm DRAM制造更是展现了对未来技术的深度布局。这种前瞻性的投资不仅确保了三星在技术上遥遥领先，也为未来的资料密集型工作负载提供了强大动力。
而在显示卡存储器领域，三星的GDDR7技术更引发了业界的广泛关注。高达36 Gbps的速度和约1.728 TB/s的频宽，为图形加速器提供了前所未有的效能提升。这项技术的推出，不仅将推动显示卡效能的飞跃，也彰显了三星在存储器技术领域的深厚实力。
对于NAND闪存，三星更是展现出了无可争议的领导地位。从正在出货的第7代176层V-NAND，到计划中的第8代230层V-NAND，再到远期规划的1000层V-NAND设计，三星正逐步将NAND技术推向新的高度。这种对技术进步的执着追求，使得三星在NAND市场的地位愈发稳固。
同时，面对市场需求的放缓和竞争对手的减产策略，三星选择了坚持投资、扩大产能的道路。这种策略不仅源自于三星对技术领先地位的自信，也反映了其对未来市场的乐观预期。
三星的决策无疑为整个半导体产业注入了新的活力。在激烈的市场竞争中，三星透过不断的技术创新和投资，巩固了其在存储器芯片市场的领先地位。未来，随着技术的不断进步和市场需求的成长，我们有理由相信，三星将继续引领半导体产业走向更辉煌的未来。