三星扩大德州芯片投资至440亿美元

外媒引述消息报导，三星电子计划将美国德州半导体投资金额增加逾一倍至440亿美元。韩国SK海力士（SK Hynix）也将在印第安那州投资38.7亿美元兴建一座先进芯片封装厂。这显示出，美国力拚本土制造更多先进芯片的努力取得重大进展。
消息人士透露，三星新投资案将集中于德州奥斯汀附近（Austin）的泰勒市（Taylor），包含一座新的芯片制造工厂，以及一座先进封装与研发设施，建厂成本分别为逾200亿美元与40亿美元。三星预计4月15日在当地宣布此消息。
三星2021年承诺斥资170亿美元在泰勒市兴建一座芯片工厂，这次是在此基础上追加投资。
SK海力士也正加紧脚步扩大高频宽存储器（HBM）产能，并宣布将在印第安那州兴建一座先进芯片封装厂，预计2028年下半年量产。