铠侠2030年初量产1,000层NAND；三星4月量产290层第九代V-NAND
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2024-04-16
铠侠2030年初量产1,000层NAND
日本NAND Flash大厂铠侠（Kioxia）表示，目标在2030~2031年量产1,000层以上的3D NAND。另外，铠侠也正在发展储存级记忆体（Storage Class Memory；SCM）技术，希望建立NAND之后的下一个成长支柱。
三星4月量产290层第九代V-NAND
瞄准AI、云端伺服器商机，三星电子（Samsung Electronics）规划于2024年4月中旬量产290层第九代V-NAND（即3D NAND）产品，为目前业界最高堆叠数量。此外，三星还计划在2025年推出430层V-NAND产品。
日本NAND Flash大厂铠侠（Kioxia）表示，目标在2030~2031年量产1,000层以上的3D NAND。另外，铠侠也正在发展储存级记忆体（Storage Class Memory；SCM）技术，希望建立NAND之后的下一个成长支柱。
三星4月量产290层第九代V-NAND
瞄准AI、云端伺服器商机，三星电子（Samsung Electronics）规划于2024年4月中旬量产290层第九代V-NAND（即3D NAND）产品，为目前业界最高堆叠数量。此外，三星还计划在2025年推出430层V-NAND产品。
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