三星扩大外购存储器 华邦夺单

三星电子共同执行长庆桂显低调前往中国台湾，传出首要任务是推广自家高频宽存储器（HBM）。三星积极冲刺高频宽存储器、DDR5等高阶DRAM技术，并寻求台湾ODM厂协助导入之际，在DDR3、编码型快闪存储器（NOR Flash）等相对成熟或利基型存储器则扩大外购，台厂中，华邦拿到三星大红包，多款存储器获三星多项终端装置采用。

三星为冲刺高频宽存储器市占，规划集团今年高频宽存储器产能要比去年大增近三倍，并于今年上半开始大量生产12层的第五代高频宽存储器，以及使用32Gb晶粒的128 GB DDR5 DRAM。
三星投入庞大资源在高频宽存储器与DDR5等先进技术，对于相对成熟的DDR4及DDR3等DRAM则选择维持在减产前的产能，甚至逐步淡出DDR3市场，扩大外购策略，有利于存储器产业的健康态势延续。
三星在成熟与利基型存储器的采购策略，台厂华邦领到大红包。华邦多款产品已获得三星终端装置采用，例如三星手机搭载的AMOLED面板外挂NOR芯片，就是由华邦供应。
谈到三星不再投入更多资源生产利基型DRAM，华邦总经理陈沛铭估今年第2季或第3季DDR3市场即会达到供需平衡或略微供不应求的状况，对华邦营运有利。