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三星第九代V-NAND投入量产
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2024-04-23
三星电子4月23日表示,公司开始量产第九代垂直快闪记忆体(V-NAND)1Tb三层存储单元(TLC)产品,开创全球半导体行业先河。
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