安卓阵营开启3nm时代！三星宣布3nm芯片成功流片

据悉，三星与Synopsys公司合作，双方对整个芯片制造流程进行微调，以最大限度地提升芯片良率。
这是三星第一款3nm芯片，它采用Gate All Around（GAA）工艺，三星GAA设计称为MCBFET，即多通道桥式FET。
三星称，与传统3nm芯片相比，自家3nm GAA设计的产品功率损耗可降低50%，性能也将得到改善，与之前的4nm FinFET制程相比，能源效率和密度有着20%至30%的提升。
按照计划，三星接下来会大规模生产下一代Soc，这颗芯片应该是传闻中的Exynos 2500，Galaxy S25系列将会首发搭载，其性能对标高通骁龙8 Gen4以及联发科天莹9400，后两款芯片则是采用台积电3nm制程。
除了旗舰手机，三星自家的Galaxy Watch 7系列智慧手表也有可能搭载3nm芯片。