生成式 AI 需求扩大 三星钜额投资 HBM 拚逆袭

驱动生成式AI必不可少的尖端存储器的投资竞争日益白热化。三星电子日前宣布，将抢在其他公司之前推进量产最尖端产品。此外，美国美光科技也将自2025年起在日本广岛工厂（广岛县东广岛市）开始量产新一代产品。紧跟领先的韩国SK海力士，争取AI需求。
“用于生成式AI的需求正在扩大”。三星2024年1～3月各项业务的财报显示，半导体部门的营业损益为盈利1.91兆韩元（上年同期亏损4.58兆韩元）。时隔4个季度扭亏为盈。
在财报说明会上，不仅是业绩本身，提问还集中于被称为“高频宽内存（HBM）”的新一代存储器的投资战略。
副社长金在骏表示，计划在2024年把HBM的供应能力提高到前一年的3倍以上，到2025年提高到2024年的2倍以上，强调称“将提高市场领导力”。其解释称已经准备好抢在其他公司之前，自2024年4～6月开始量产与目前主流的HBM相比领先的产品。
三星2024年3月还提出了投资20兆韩元，建立以HBM为中心的半导体研发基地，并在2～3年内成为业界第一的目标。
生成式AI不仅需要承担复杂数据处理的图形处理器（GPU），还需要临时存储庞大运算结果的DRAM。AI存储器HBM是通过将DRAM的芯片堆叠起来提高性能的半导体，可以高速存储或传输大量数据。
在HBM领域，SK在2013年率先成功开发，在市场开拓方面领先。数据显示SK掌握5成市占率，其次是占4成的三星电子和占1成的美光科技。
三星此前误判了AI半导体的需求动向，对AI存储器的投资较晚。在3月的股东大会上，还有高管反思称：“此前准备不足，不会再犯同样的错误”。三星将通过钜额投资加快卷土重来。
此外，美国美光计划对日本和美国的基地进行钜额投资，希望借此逆袭。计划在今后数年内向广岛工厂最多投资5,000亿日元，并于2025年量产新一代AI存储器。在美国，将在2040年代之前最多投资1,250亿美元，在纽约州等地量产AI存储器。
目前美光的目标是到2025年把HBM的市占率从1成左右提高到约25%。美光的首席商务官（CBO）Sumit Sadana表示：“2024年的HBM产品已经卖断货，2025年的产品也已完成对客户的分配”。其指出，与出现最终亏损的2023财年（截至2023年8月）相比业绩将明显改善，在2025财年之前将实现盈利，认为“将创出历史最高业绩”。
韩国SK海力士将通过积极投资甩掉竞争对手。除在韩国清州市总计投资20兆韩元新建AI存储器工厂之外，还与台积电（2330）（TSMC）签订了新一代产品的技术合作协议。计划在美国印第安纳州新建组装工厂，2028年开始量产，还将与当地大学在研发领域携手，增加招聘学生。
SK的2024年1～3月营业收入创出历史新高。该公司的首席财务官（CFO）金佑贤表示：“HBM市场在2024年将继续保持快速增长”。提出方针称为了推动HBM的增产，与当初计划相比将增加2024年的设备投资。
2023年Chat GPT等生成式AI迅速普及，AI存储器的需求正在急剧扩大。美国高德纳（Gartner）预测称，全球HBM市场规模到2025年将达到约50亿美元，增至2023年的2.5倍。
日本半导体谘询公司Grossberg LLC的代表大山聪表示：“在新的市场扩张期，技术创新很快，市占率变动的空间很大”。到2024年下半年，AI存储器的下一代产品将正式进入量产阶段。如果放松投资的步伐，有可能在竞争中掉队，各公司将继续展开积极投资。