三星希望透过新铁电材料，实现超过千层NAND

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2024-05-14

三星电子计划实现“PB 级”记忆体目标，高层曾预期，V-NAND 在 2030 年叠加千层以上。最新消息指三星考虑用新“铁电”材料（Hafnia Ferroelectrics）实现目标，且可能是关键。

三星近期 NAND 市场计划，包括高达 290 层的堆叠第九代 V-NAND 快闪记忆体，明年推 430 层第十代 NAND 记忆体。韩国研究人员于檀香山国际会议提到的最新解决方案，可能有助三星实现千层 NAND 技术，使 PB 级固态硬碟（SSD）目标不远。
韩国科学技术院（KAIST）于全球超大型积体技术及电路国际会议展示铁电材料研究成果。最近人们也对铁电材料材料充满兴趣，尤其电脑产业，因铁电特性可能有助开发更小、更高效的电容器和记忆体设备。
三星并没有直接参与研发，但传与其有直接关系，虽然还不能确定 Hafnia Ferroelectrics 是否导致 PB 级记忆体设备诞生，但可能发挥主导作用，最终达到里程碑。