三星、SK海力士HBM都卖光、急调2成DRAM产能助阵

受到AI需求热潮，三星电子(Samsung Electronics Co.)透露，手上的高频宽存储器(HBM)也全部卖光。三星、SK海力士(SK Hynix Inc.)并异口同声预测，今(2024)年DRAM及HBM报价都可望走坚。
《韩国经济日报》13日报导，为了满足需求，三星、SK海力士都已将超过20%的DRAM生产线改为生产HBM。这两家业者在Samsung Securities于5月9~10日主办的投资人关系会议上透露，基于上述原因，DRAM产出趋缓的步调将跟需求达成一致。
SK海力士执行长郭鲁正(Kwak Noh-Jung)甫于5月2日指出，随着AI科技跨入多种装置应用(例如智慧型手机、PC、汽车等)，今年旗下HBM产品已经完销，明年的HBM产量也几乎全部卖完。
一名SK高层对机构投资者表示，HBM签的是以年为基础的供应合约，这些合约载明了供应数量、付款方式及最后期限。他说，“以截至今年底的产能来计算，我们明年的全部产能已被预订光。”他表示，“HBM3跌价影响将获HBM3E涨价抵销。因此，毛利率有望维持不坠。”
三星一名投资者关系高层也表示，HBM产出已经售罄。“基于供需市况，预测2025年HBM不会供过于求。”这名三星高层并提到，自家8层堆叠HBM3E跟SK海力士的差距正在收敛，12层HBM3E则已取得领先。三星最快第二季就可开始生产12层HBM3E。

两家企业都乐观看待传统DRAM、固态硬碟(SSD)的价格展望。三星高层说，“我不认为今年DRAM报价将下滑；SSD需求加温是长期而非短期趋势。”

BusinessKorea 5月2日报导，第三代的“HBM3 DRAM”报价自2023年以来已飞涨超过5倍。对英伟达(Nvidia Corp.)来说，关键元件HBM报价上升，势必会影响研发成本。

报导称，谣传英伟达刻意泄漏信息，引发现任与潜在供应商相互竞争，以期压低HBM价格。4月25日，SK集团董事长崔泰源(Chey Tae-won)匆匆前往矽谷跟黄仁勋会面，似乎跟这些策略有关。虽然过去一个多月来，英伟达一直在测试三星领先业界开发出的12层堆叠HBM3E，却迟未表明合作意愿。市场解读，这是一种策略，目标是激励三星电子。
值得注意的是，SK海力士已宣布跟台积电(2330)建立策略伙伴关系，目标是提升HBM及先进封装技术产能。