任天堂 Switch 2 游戏卡可能改用三星第五代V-NAND闪存技术

任天堂 Switch 2 游戏卡可能改用三星第五代 V-NAND闪存技术，读取速度达 1.4GB/s
任天堂 Switch 2 可能会使用三星第五代 V-NAND，从最近的一些研究结果来看，这将是相比其前代产品的一大进步。
据 Doctre81 在 YouTube 上分享的一段新影片中报导，一位在该公司任职至 2019 年的前三星电子装置解决方案部门高级总监的 LinkedIn 页面上列出了他的主要资历和职责，其中包括领导开发了一款用于未指名任天堂游戏主机游戏卡的 NAND 闪存控制器装置。
在主要成就中，这位前三星员工还列出了由三星第五代 V-NAND 闪存驱动的安全增强型 eMMC 卡的开发，这似乎不仅与用于未指名任天堂游戏主机将采用的 NAND 闪存控制器装置相吻合，而且还与其他一些资讯相吻合，如创新未指定专有硬体的安全性和设计新的 PUF IP（实体不可复制功能）。
任天堂 Switch 2 需要比上一代产品更快的读取速度并不完全令人惊讶，但任天堂使用三星第 5 代 V-NAND 仍然是个好消息，尽管以今天的标准来看，这已经是有些过时的技术了，因为三星正在开发第 9 代和第 10 代 V-NAND，后者计划于 2025 年发布。不过，第 5 代产品高达 1.4 GB/s 的速度对于任天堂的游戏来说应该绰绰有余，至少比前一代产品有了很大的提升。
关于 Nintendo Switch 2的细节人们所知甚少，只知道它将再次采用 NVIDIA 硬体。据说，T239 芯片将支援 NVIDIA DLSS 和光线重构等功能，这将使它成为市场上光线追踪能力最强的游戏系统。